[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201310065383.6 | 申请日： | 2013-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN104022044B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 阎长江;李田生;徐少颖;谢振宇;陈旭 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司11270 | 代理人： | 王黎延,张振伟 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
1.一种氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括：在基板上形成栅极、栅绝缘层、沟道层和源极、漏极；其特征在于，所述沟道层在含有氢气、氩气和氧气的第一混合气体中沉积；
所述沟道层的形成方法具体为：
首先，在氩气和氧气的混合气体中，沉积厚度为50～80nm的第一非晶氧化物半导体薄膜；
然后，在氩气和氢气的混合气体中，继续沉积厚度为10～20nm的第二非晶氧化物半导体薄膜；
最后，对所述第一非晶氧化物半导体薄膜和第二非晶氧化物半导体薄膜进行构图工艺形成沟道层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述源极和漏极在含有氢气和氩气的第二混合气体中沉积，所述源极和漏极采用呈导体特性非晶氧化物材料。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氩气和氧气的比例为15:1～20:1；所述氩气和氢气的比例为9:1～2:1。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述氩气和氧气的比例为19:1；所述氩气和氢气的比例为9:1。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述源极和漏极的形成方法具体为：
首先，在比例为9:1～2:1的氩气和氢气的混合气体中，沉积厚度为10～20nm的第一非晶氧化物薄膜；
然后，在比例为3:2～1:1的氩气和氢气的混合气体中，继续沉积厚度为180～200nm的第二非晶氧化物薄膜；
最后，对所述第一非晶氧化物薄膜和第二非晶氧化物薄膜进行构图工艺形成源极和漏极。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在沉积所述第一非晶氧化物薄膜时，所述氩气和氢气的比例为2:1。
7.根据权利要求2、5和6中任一项所述的方法，其特征在于，所述非晶氧化物材料为：铟镓锌氧化物IGZO。
8.一种氧化物薄膜晶体管，包括：栅极、栅绝缘层、沟道层以及源极和漏极；其特征在于，所述源极和漏极采用呈导体特性的非晶氧化物材料；且所述沟道层包括在氩气和氧气的混合气体中沉积的第一非晶氧化物半导体薄膜和在氩气和氢气的混合气体中沉积的第二非晶氧化物半导体薄膜。
9.根据权利要求8所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述非晶氧化物材料为：铟镓锌氧化物IGZO。
10.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求8或9所述的氧化物薄膜晶体管。
11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求10所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
