[发明专利]化学机械研磨方法和半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种化学机械研磨方法，其特征在于，包括：

提供功能材料层，所述功能材料层中形成有若干凹槽；

在所述凹槽的底部和侧壁以及凹槽两侧的功能材料层上形成补偿层；

进行化学机械研磨，去除补偿层和部分所述功能材料层，形成上表面齐平的功能层；

其中，所述化学机械研磨对所述功能材料层的研磨率大于对所述补偿层的研磨率。

2.如权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于，所述化学机械研磨对所述功能材料层的研磨率与对所述补偿层的研磨率的比值大于或者等于1.2。

3.如权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于，所述补偿层的厚度为10nm~200nm。

4.如权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于，所述功能材料层与所述补偿层的材料相同。

5.如权利要求4所述的化学机械研磨方法，其特征在于，所述功能材料层与所述补偿层的密度不同。

6.如权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于，在形成所述功能层之后，还包括：对所述功能层进行过刻蚀。

7.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有通孔或者沟槽；

在所述通孔或者沟槽内以及通孔或者沟槽两侧的半导体衬底上形成功能材料层，所述功能材料层中形成有与通孔或者沟槽的位置和形状对应的凹槽；

在所述凹槽的底部和侧壁以及凹槽两侧的功能材料层上形成补偿层；

进行化学机械研磨，至暴露出所述半导体衬底，形成功能层；

其中，所述化学机械研磨对所述功能材料层的研磨率大于对所述补偿层的研磨率。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述化学机械研磨对所述功能材料层的研磨率与对所述补偿层的研磨率的比值大于或者等于1.2。

9.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述补偿层的厚度为10nm~200nm。

10.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述功能材料层与所述补偿层的材料相同。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述功能材料层与所述补偿层的密度不同。

12.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述通孔或者沟槽的尺寸大于1微米。

13.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述功能材料层的方法为化学气相沉积或者物理气相沉积。

14.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述功能层为互连线或者插塞。

15.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述功能材料层的材料为铜、铝或者钨。

16.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述功能材料层的材料为低k材料或者超低k材料。

17.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成功能层之后，还包括：对所述功能层进行过刻蚀，使剩余功能层的上表面与所述半导体衬底的上表面齐平。

18.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成功能层之后，还包括：进行清洗工艺。