[发明专利]一种氧化物薄膜晶体管阵列基板及制作方法、显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种氧化物薄膜晶体管阵列基板及制作方法、显示面板。

背景技术

氧化物有源层，如铟镓锌氧化物IGZO(indium gallium zinc oxide)作为有源层，载流子迁移率是非晶硅的20-30倍，可以大大提高薄膜晶体管对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率，是用于新一代TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜场效应晶体管液晶显示)技术中的沟道层材料。

现有技术中，氧化物薄膜晶体管Oxide TFT阵列基板的制作通常需要采用至少六次构图工艺，具体过程如下：

1、通过第一次构图工艺形成栅极和栅线图形；

2、通过第二次构图工艺形成栅绝缘层和氧化物有源层图形；

3、通过第三次构图工艺形成刻蚀阻挡层图形；

4、通过第四次构图工艺形成数据线、源极、漏极和TFT沟道图形；

5、通过第五次构图工艺形成钝化层图形；

6、通过第六次构图工艺形成像素电极图形。

然而，每一次构图工艺都需要镀膜、光刻、刻蚀和剥离等工艺，这使得Oxide TFT阵列基板的生产周期较长，生产工艺复杂，成本较高。

发明内容

本发明的实施例提供一种Oxide TFT阵列基板及制作方法、显示面板，能够减少Oxide TFT的构图工艺次数，简化生产工艺，降低制作成本。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面，本发明实施例提供了一种Oxide TFT阵列基板的制作方法，该方法包括：

通过一次构图工艺，在形成有栅线和栅极图形的基板上，形成包括栅绝缘层、氧化物有源层和刻蚀阻挡层的图形。

其中，所述通过一次构图工艺，在形成有栅线和栅极图形的基板上，形成包括栅绝缘层、氧化物有源层和刻蚀阻挡层的图形具体包括：

在形成有栅线和栅极图形的基板上，形成栅绝缘层薄膜、氧化物有源层薄膜和刻蚀阻挡层薄膜；

在形成有栅绝缘层薄膜、氧化物有源层薄膜和刻蚀阻挡层薄膜的基板上涂覆光刻胶；

利用半色调掩膜版或灰阶掩模板对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全去除区域；其中，在像素单元中，所述光刻胶完全保留区域对应所述刻蚀阻挡层区域，所述光刻胶半保留区域对应所述氧化物有源层图形除去刻蚀阻挡层图形的区域，所述光刻胶完全去除区域对应所述光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域以外的区域；

利用刻蚀工艺去除掉所述光刻胶完全去除区域的所述氧化物有源层薄膜和刻蚀阻挡层薄膜，形成包括氧化物有源层图形；

利用灰化工艺去除掉所述光刻胶半保留区域的光刻胶；

利用刻蚀工艺去除掉所述光刻胶半保留区域的所述刻蚀阻挡层薄膜，形成包括刻蚀阻挡层图形；

剥离所述光刻胶完全保留区域的光刻胶，以露出所述刻蚀阻挡层和氧化物有源层。

可选的，在形成包括栅绝缘层、氧化物有源层和刻蚀阻挡层的图形之前，该方法还包括：

通过一次构图工艺，在基板上形成包括栅线和栅极图形的同时，还包括通过该构图工艺形成与所述栅线交叉设置且在与栅线交叉重叠处断开的数据线初始图形；

所述形成栅绝缘层、氧化物有源层和刻蚀阻挡层的构图工艺中，还包括通过该构图工艺在每段断开的数据线初始图形上方形成至少一个数据线连接过孔；

在形成包括栅绝缘层、氧化物有源层和刻蚀阻挡层的图形之后，该方法还包括：

通过构图工艺，在形成有包括栅绝缘层、氧化物有源层和刻蚀阻挡层的基板上，形成包括数据线、源极、漏极、连接电极和像素电极的图形；在与所述栅线交叉的方向上，所述每个连接电极通过两两相邻的数据线连接过孔，将所述两两相邻的断开的数据线初始图形相连接，形成所述数据线的图形；所述源极与所述数据线连接，所述漏极和所述像素电极相连。

其中，通过一次构图工艺，在基板上形成包括栅线和栅极图形的同时，还包括通过该构图工艺形成与所述栅线交叉设置且在与栅线交叉重叠处断开的数据线初始图形具体包括：

在所述基板上形成栅金属层薄膜；

在形成有所述栅金属层薄膜的基板上涂覆光刻胶；