[发明专利]背照式的CMOS图像传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201310060625.2 | 申请日： | 2013-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN103094298A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 饶金华 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 背照式 cmos 图像传感器 及其 制备 方法 | ||
1.一种背照式的CMOS图像传感器，包括：
半导体基底，包括至少两个像素单元区域，所述半导体基底具有正面和与之相对的背面；
所述半导体基底的正面形成有至少两个像素，每一所述像素单元区域内具有一个所述像素；
所述半导体基底的背面形成有沟槽，所述沟槽位于相邻所述像素单元区域之间；
所述半导体基底的背面形成有隔绝层，所述隔绝层与所述沟槽形成空气隙；
所述隔绝层上依次形成有滤光片和微透镜。
2.如权利要求1所述的背照式的CMOS图像传感器，其特征在于，所述隔绝层为透明材料。
3.如权利要求2所述的背照式的CMOS图像传感器，其特征在于，所述隔绝层的材料为深宽比填隙能力小于等于4∶1的材料。
4.如权利要求3所述的背照式的CMOS图像传感器，其特征在于，所述隔绝层的材料为二氧化硅。
5.如权利要求1所述的背照式的CMOS图像传感器，其特征在于，所述隔绝层的厚度为1纳米～2微米。
6.一种背照式的CMOS图像传感器的制备方法，包括：
提供半导体基底，包括至少两个像素单元区域，所述半导体基底具有正面和与之相对的背面；
在所述半导体基底的正面上形成至少两个像素，每一所述像素单元区域内具有一个所述像素；
对所述半导体基底的背面进行薄化；
选择性地对所述半导体基底的背面进行刻蚀，以在相邻所述像素单元区域之间形成沟槽；
在所述半导体基底的背面形成隔绝层，所述隔绝层与所述沟槽形成空气隙；
在所述隔绝层上依次形成滤光片和微透镜。
7.如权利要求6所述的背照式的CMOS图像传感器的制备方法，其特征在于，通常采用化学沉积法生长所述隔绝层。
8.如权利要求6所述的背照式的CMOS图像传感器的制备方法，其特征在于，所述隔绝层为透明材料。
9.如权利要求8所述的背照式的CMOS图像传感器的制备方法，其特征在于，所述隔绝层的材料为深宽比填隙能力小于等于4∶1的材料。
10.如权利要求9所述的背照式的CMOS图像传感器的制备方法，其特征在于，所述隔绝层的材料为二氧化硅。
11.如权利要求5所述的背照式的CMOS图像传感器的制备方法，其特征在于，所述隔绝层厚度1纳米～2微米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
