[发明专利]有机发光二极管显示器有效
申请号: | 201310059444.8 | 申请日: | 2013-02-26 |
公开(公告)号: | CN103489889B | 公开(公告)日: | 2018-02-06 |
发明(设计)人: | 洪相玟 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3233;H01L51/52 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人: | 宋颖娉,康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 | ||
技术领域
概括地说,所描述的技术涉及有机发光二极管(OLED)显示器。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示器包括两个电极和设置在这两个电极间的有机发射层。从一个电极注入的电子和从另一个电极注入的空穴在有机发射层中结合,从而形成激子,并且通过由激子产生的能量而发光。
有机发光二极管(OLED)显示器包括包含有机发光二极管(OLED)作为自发光元件的多个像素,并且每个像素包含电容器和多个薄膜晶体管(TFT),以驱动有机发光二极管(OLED)。
电容器包括存储数据信号的存储电容器和根据信号线的电压变化执行升压操作以进一步修正灰度表现的升压电容器,并且包括存储电容器和升压电容器的像素的亮度根据这两个电容器的电容比而变化。
为获得均匀亮度,存储电容器和升压电容器的电容比在多个像素之间通常必须是均匀的。
然而,通常将升压电容器设定为具有比存储电容器小的电容,从而根据工艺分布的变化量相对大。多个像素中包含的升压电容器之间的电容偏差会产生亮度偏差和色彩偏差。
在该背景技术部分中公开的上述信息仅用于增进对所描述技术的背景的理解,因此其可以包含不形成该国的本领域技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本发明提供稳定地保证升压电容的有机发光二极管(OLED)显示器。
根据实施例的有机发光二极管(OLED)显示器包括:衬底;形成在所述衬底上且施加扫描信号的扫描线;与所述扫描线交叉且分别施加数据信号和驱动电压的数据线和驱动电压线;连接到所述扫描线和所述数据线的开关TFT;连接到所述开关TFT的开关漏电极和所述驱动电压线的驱动TFT;连接到所述驱动TFT的驱动漏电极的有 机发光二极管(OLED);连接在所述驱动电压线和所述驱动TFT的驱动栅电极之间的存储电容器;以及包括连接到所述驱动TFT的驱动栅电极的第一升压电容器板和与所述第一升压电容器板重叠且连接到所述扫描线的第二升压电容器板的升压电容器,其中所述升压电容器的所述第一升压电容器板的面积大于所述第二升压电容器板的面积。
所述OLED显示器可以进一步包括形成在所述衬底上且施加相邻扫描信号的相邻扫描线。
所述存储电容器可以包括与所述第一升压电容器板形成在同一层上的第一存储电容器板,以及与所述第一存储电容器板重叠且连接到所述驱动电压线的第二存储电容器板。
所述第一升压电容器板可以与所述驱动TFT的驱动半导体层形成在同一层上,并且所述第二升压电容器板可以与所述扫描线形成在同一层上。
所述第一升压电容器板可以是从所述第一存储电容器板延伸的延伸部,并且所述第二升压电容器板可以是从所述扫描线突出的突出部。
所述第一升压电容器板可以具有锤形,并且所述第一升压电容器板可以包括平行于所述驱动电压线的柄部和形成在所述柄部的末端处的头部。
所述第二升压电容器板的所述突出部可以从所述扫描线向上且向下突出。
所述第二升压电容器板的所述突出部可以被放置成与所述第一升压电容器板的所述头部的内部完全重叠。
所述第一升压电容器板的所述头部的竖直外侧线和所述第二升压电容器板的所述突出部的竖直外侧线之间的水平间隔可以在大约1.2μm到大约2μm的范围内。
所述第一升压电容器板的所述头部的水平外侧线和所述第二升压电容器板的所述突出部的水平外侧线之间的竖直间隔可以在大约1.2μm到大约2μm的范围内。
所述第一升压电容器板可以是从所述第一存储电容器板延伸的延伸部,并且所述第二升压电容器板可以连接到与所述驱动电压线形成在同一层上的升压连接线。
可以进一步包括形成在所述第一升压电容器板上的栅绝缘层以及形成在所述栅绝缘层上的覆盖所述第二升压电容器板的层间绝缘层,并且所述升压连接线可以通过形成在所述层间绝缘层中的接触孔连接到所述第二升压电容器板。
所述升压连接线可以平行于所述扫描线。
所述数据线和所述驱动电压线可以在与所述升压连接线重叠的部分处分别被分割开,所述数据线的末端可以通过数据连接器彼此连接,并且所述驱动电压线的末端可以通过驱动电压连接器彼此连接。
所述驱动TFT的驱动栅电极可以通过存储连接器连接到所述第一存储电容器板。
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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