[发明专利]晶体管及其制造方法、半导体单元及其制造方法、显示器

权利要求书

1.一种制造晶体管的方法，包括：

在基板上形成氧化物半导体膜和栅电极，所述氧化物半导体膜具有沟道区，且所述栅电极面向所述沟道区；以及

形成覆盖所述栅电极和所述氧化物半导体膜的绝缘膜，其中通过所述基板抑制水分从所述绝缘膜渗透进入所述氧化物半导体膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基板由玻璃形成。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氧化物半导体膜被形成为与所述基板接触。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

形成与所述氧化物半导体膜的除所述沟道区之外的区域接触的金属膜；以及

通过对所述金属膜执行第一热处理形成高阻抗膜并在所述氧化物半导体膜上形成低阻抗区。

5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

形成源漏电极，并将所述源漏电极电连接至所述低阻抗区；以及

在形成所述源漏电极之后执行第二热处理。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二热处理在300℃以上的温度下执行。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基板包括在其表面上的水分扩散防止膜。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述氧化物半导体膜被形成为与所述扩散防止膜接触。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述扩散防止膜形成在由树脂材料制成的板状构件上以形成所述基板。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述扩散防止膜包括氧化硅膜、氮化硅膜和氧化铝膜中的一种。

11.一种晶体管，包括：

在基板上的氧化物半导体膜和栅电极，所述氧化物半导体膜具有沟道区，且所述栅电极面向所述沟道区；以及

绝缘膜，覆盖所述栅电极和所述氧化物半导体膜，其中

通过所述基板抑制水分从所述绝缘膜渗透进入所述氧化物半导体膜。

12.一种显示器，设置有显示器件和驱动所述显示器件的晶体管，所述晶体管包括：

在基板上的氧化物半导体膜和栅电极，所述氧化物半导体膜具有沟道区，且所述栅电极面向所述沟道区；以及

绝缘膜，覆盖所述栅电极和所述氧化物半导体膜，其中

通过所述基板抑制水分从所述绝缘膜渗透进入所述氧化物半导体膜。

13.根据权利要求12所述的显示器，其中，包括与所述晶体管共用所述氧化物半导体膜的保持电容器。

14.一种具有显示器的电子装置，所述显示器设置有显示器件和驱动所述显示器件的晶体管，所述晶体管包括：

在基板上的氧化物半导体膜和栅电极，所述氧化物半导体膜具有沟道区，且所述栅电极面向所述沟道区；以及

绝缘膜，覆盖所述栅电极和所述氧化物半导体膜，其中

通过所述基板抑制水分从所述绝缘膜渗透进入所述氧化物半导体膜。

15.一种晶体管，包括：

栅电极；

氧化物半导体膜，具有面向所述栅电极的沟道区；

蚀刻保护膜，所述蚀刻保护膜的至少一部分与所述氧化物半导体膜接触；

氧化膜，覆盖所述栅电极和所述蚀刻保护膜，所述氧化膜与所述栅电极和所述蚀刻保护膜之间的氧化物半导体膜接触；以及

源漏电极，通过所述氧化膜的通孔电连接至所述蚀刻保护膜。

16.根据权利要求15所述的晶体管，其中，所述通孔面向所述氧化物半导体膜设置。

17.根据权利要求15所述的晶体管，进一步包括在所述氧化物半导体膜的一部分中的低阻抗区，所述部分与所述氧化膜接触。

18.根据权利要求15所述的晶体管，其中，所述蚀刻保护膜包含钼膜、含钕的铝膜以及氧化铟锡中的一种。