[发明专利]显示装置

权利要求书

1.一种显示装置，包括：

具有主表面的衬底，所述衬底是透光的；

设置在所述主表面上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

设置在所述主表面上的栅电极；

设置在所述栅电极上的栅极绝缘膜；

设置在所述栅极绝缘膜上的半导体膜，所述半导体膜包括第一区域、与所述第一区域分开的第二区域以及设置在所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域；

电连接至所述第一区域的第一导电部分；和

电连接至所述第二区域且被设置为与所述第一导电部分分隔开的第二导电部分；

设置在所述薄膜晶体管上的钝化膜，所述钝化膜是绝缘的；

设置在所述钝化膜上的氢阻挡膜，且该氢阻挡膜当被投影到与所述主表面平行的平面上时与所述半导体膜重叠；

电连接至所述第一导电部分和所述第二导电部分之一的像素电极，所述像素电极是透光的；

设置在所述像素电极上的有机发光层；

设置在所述有机发光层上的相对电极；以及

设置在所述氢阻挡膜和所述相对电极上的密封膜。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述氢阻挡膜包含Ti、Ta、TiN和TaN之一。

3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述氢阻挡膜包含含有In、Zn、Ga、Ti和Al中的至少一种的氧化物。

4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述氢阻挡膜电连接至所述第一导电部分和所述第二导电部分之一。

5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，

所述半导体膜是n型的，且

所述氢阻挡膜电连接至所述像素电极。

6.如权利要求1所述的装置，其特征在于，

所述半导体膜是p型的，且

所述氢阻挡膜电连接至所述第一导电部分和所述第二导电部分中的另一个。

7.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述氢阻挡膜包括与所述像素电极的材料相同的材料。

8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，所述氢阻挡膜延伸到所述像素电极。

9.如权利要求7所述的装置，其特征在于，所述像素电极包括ITO、IZO、AZO、IGZO和ZnO中的至少一种。

10.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述半导体膜包括包含In、Ga和Zn中至少之一的氧化物半导体。

11.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述密封膜包含10¹⁹个原子/cm³或大于10¹⁹个原子/cm³的氢。

12.如权利要求11所述的装置，其特征在于，所述密封膜包括氧化硅膜、氮化硅膜和氧氮化硅膜中的至少一个。

13.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述相对电极在所述半导体膜和所述氢阻挡膜上延伸。

14.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述衬底包括树脂材料且为柔性的。

15.如权利要求1所述的装置，其特征在于，

所述栅极绝缘膜被放置在所述栅电极与所述第三区域之间。

16.如权利要求15所述的装置，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括设置在至少所述第三区域上的沟道保护膜。

17.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述相对电极包括金属材料。

18.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述氢阻挡膜的厚度为大于等于20nm且小于等于150nm。

19.如权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括滤色片，

所述钝化膜在所述像素电极和所述主表面之间延伸，且

所述滤色片设置在所述像素电极和所述钝化膜之间并在所述氢阻挡膜之上。

20.如权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括滤色片，

所述钝化膜在所述像素电极和所述主表面之间延伸，且

所述滤色片设置在所述像素电极和所述钝化膜之间并在所述钝化膜和所述氢阻挡膜之间延伸。