[发明专利]到III-V材料的自对准接触及其制造方法、FET器件及制造方法

权利要求书

1.一种用于制造到III-V材料的自对准接触的方法，该方法包括以下步骤：

将至少一种金属沉积在所述III-V材料的表面上；

使所述至少一种金属与所述III-V材料的上部反应，以形成金属–III-V合金层，所述金属–III-V合金层是自对准接触；

使用蚀刻来选择性地去除所述至少一种金属的任何未反应部分；

将至少一种杂质注入到所述金属–III-V合金层中；以及

使被注入到所述金属–III-V合金层中的所述至少一种杂质扩散到所述金属–III-V合金层和其下面的所述III-V材料之间的界面，从而降低所述自对准接触的接触电阻。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述III-V材料选自砷化铝镓、氮化铝镓、砷化铝铟、氮化铝、锑化镓、砷化镓、氮化镓、锑化铟、砷化铟、砷化铟镓、氮化铟镓、氮化铟、磷化铟及包含上述材料中的至少一种的组合。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述至少一种金属选自镍、钴、钛、铂及包含上述金属中的至少一种的组合。

4.如权利要求1所述的方法，其中，使所述至少一种金属与所述III-V材料的上部反应的步骤包括以下步骤：

在约60℃到约800℃的温度下对所述至少一种金属和所述III-V材料持续进行约1毫秒到约2小时的退火。

5.如权利要求4所述的方法，其中，在约80℃到约400℃的温度下对所述至少一种金属和所述III-V材料持续进行约1秒钟到约60分钟的退火。

6.如权利要求1所述的方法，其中，被用于选择性地去除所述至少一种金属的所述未反应部分的所述蚀刻包括湿法蚀刻工艺。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述至少一种杂质包括选自以下中的至少一种掺杂剂：硅、锗、锡及包含上述元素中的至少一种的组合。

8.如权利要求1所述的方法，其中，所述至少一种杂质包括选自以下中的至少一种金属：铒、镱、铂及包含上述金属中的至少一种的组合。

9.如权利要求1所述的方法，其中，使所述至少一种杂质扩散到所述金属–III-V合金层和所述III-V材料之间的界面的步骤包括以下步骤：

在约300℃到约600℃的温度下对所述金属–III-V合金层和所述III-V材料持续进行约1毫秒到约2小时的退火。

10.如权利要求9所述的方法，其中，在约350℃到约450℃的温度下对所述金属–III-V合金层和所述III-V材料持续进行约1秒钟到约30分钟的退火。

11.一种到III-V材料的自对准接触，其是通过如权利要求1所述的方法形成的。

12.一种制造场效应晶体管（FET）器件的方法，该方法包括以下步骤：

将至少一层III-V沟道材料沉积在衬底上；

在所述III-V沟道材料之上形成栅极；

在所述栅极的相反侧上形成间隔物；

将至少一种金属沉积在所述III-V沟道材料的表面上；

使所述至少一种金属与所述III-V材料的上部反应，以形成邻近所述栅极的金属–III-V合金层，所述金属–III-V合金层用作所述器件的自对准的源极接触和漏极接触；

使用蚀刻来选择性地去除所述至少一种金属的任何未反应部分；

将至少一种杂质注入到所述金属–III-V合金层中；以及

使被注入到所述金属–III-V合金层中的所述至少一种杂质扩散到所述金属–III-V合金层和所述III-V材料之间的界面，从而降低所述自对准的源极接触和漏极接触的接触电阻。

13.如权利要求12所述的方法，其中，所述III-V材料选自砷化铝镓、氮化铝镓、砷化铝铟、氮化铝、锑化镓、砷化镓、氮化镓、锑化铟、砷化铟、砷化铟镓、氮化铟镓、氮化铟、磷化铟及包含上述材料中的至少一种的组合。

14.如权利要求12所述的方法，其中，所述衬底包括玻璃、金属或塑料衬底。

15.如权利要求12所述的方法，其中，所述衬底是由半导电材料形成的。

16.如权利要求15所述的方法，其中，所述衬底具有约2nm到约10nm的厚度。