[发明专利]一种LED芯片倒装的LED光源及其制造方法

权利要求书

1.一种LED芯片倒装的LED光源，包括LED芯片与基板，其特征在于：

所述LED芯片包括依次叠加的透明衬底、N-型覆层、活性层、P-型覆层、透明导电薄膜层；于该N-型覆层外露的区域设有N-型电极极板，该N-型电极极板上设有金属凸点；所述透明导电薄膜层上设有P-型电极极板，该P-型电极极板上设有金属凸点；

所述基板为透明的基板，在该基板上设有金属凸台及用于连接外部电路的正、负电极；该N-型电极极板上的金属凸点及该P-型电极极板上的金属凸点分别与该基板上的金属凸台对应连接，所述基板上还设有封装胶，该封装胶将所述LED芯片覆盖。

2.根据权利要求1所述的一种LED芯片倒装的LED光源，其特征在于：所述透明衬底与该N-型覆层之间设有缓冲层。

3.根据权利要求1或2所述的一种LED芯片倒装的LED光源，其特征在于：所述透明衬底为蓝宝石、金刚砂、硅或砷化镓材料的透明衬底。

4.根据权利要求1所述的一种LED芯片倒装的LED光源，其特征在于：所述活性层为单层或MQW层结构。

5.根据权利要求1所述的一种LED芯片倒装的LED光源，其特征在于：所述透明导电薄膜层为单层或多层结构，厚度介于1nm-1000nm之间，该透明导电薄膜层采用透明导电氧化物或透明导电氮化物材料。

6.根据权利要求1所述的一种LED芯片倒装的LED光源，其特征在于：所述N-型覆层与该N-型电极极板及该透明导电薄膜层与该P-型电极极板之间分别设有欧姆接触层。

7.根据权利要求1所述的一种LED芯片倒装的LED光源，其特征在于：所述基板为蓝宝石、透明陶瓷、透明玻璃或透明塑胶材质。

8.根据权利要求1所述的一种LED芯片倒装的LED光源，其特征在于：所述基板上设有一个或多个LED芯片，所述封装胶呈一整体包覆所有LED芯片或间隔的一封装胶单独包覆一LED芯片。

9.一种LED芯片倒装的LED光源制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

a、提供一透明衬底，在该透明衬底上依次生长N-型覆层、活性层、P-型覆层；

b、对生成的N-型覆层、活性层及P-型覆层进行蚀刻，使N-型覆层形成外露的区域；

c、在P-型覆层的表面制备一与其形成欧姆接触的透明导电薄膜层；

d、在N-型覆层外露的区域及透明导电薄膜层的表面分别制备N-型电极极板与P-型电极极板，并在N-型电极极板与P-型电极极板上分别设置用于倒装焊键合的金属凸点。

e、提供一透明的基板，在该基板上设置金属凸台及用于连接外部电路的正、负电极；

f、将N-型电极极板上的金属凸点及P-型电极极板上的金属凸点分别与基板上的金属凸台对应进行共晶连接；

g、在基板上设置封装胶封装该LED芯片。

10.根据权利要求9所述的一种LED芯片倒装的LED光源制造方法，其特征在于：所述a步骤中，该透明衬底与该N-型覆层之间生长有一缓冲层。

11.根据权利要求9所述的一种LED芯片倒装的LED光源制造方法，其特征在于：所述c步骤后还包括一步骤，在N-型覆层外露的区域及透明导电薄膜层的表面分别设置一欧姆接触层。