[发明专利]II型核壳结构半导体纳米晶的制备方法无效
| 申请号： | 201310043066.4 | 申请日： | 2013-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN103184045A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 李林松;申怀彬;徐巍巍 | 申请（专利权）人： | 河南大学 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/88 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 475001*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ii 型核壳 结构 半导体 纳米 制备 方法 | ||
1.II型核壳结构半导体纳米晶的制备方法，将点状颗粒的CdS或ZnSe或CdTe纳米晶溶于高沸点有机溶剂并于惰性环境下除去溶液中的氧气得到溶液1，然后将12族元素的前驱体与硫属元素前驱体分别溶于相同溶剂的溶液混合得到混合液2，将混合液2滴加至溶液1中，混合溶液加热至200-300℃使纳米晶生长，得到以CdS或ZnSe或CdTe纳米晶为核，以硫属化物为壳的II型核壳结构纳米晶；所述溶剂为溶点不大于60℃的非配位溶剂；12族元素与硫属的物质的量比为1：1-1.5。
2.根据权利要求1所述的纳米晶合成方法合成纳米晶，其特点在于：在无膦化合物（如没有TBP，TOP ）条件下合成高质量的荧光量子产率可达30-80% 的CdS/ZnSe, CdS/ZnSe/ZnS, ZnSe/CdSe, ZnSe/CdSe/ZnS, CdTe/CdSe, CdTe/CdS, CdTe/CdSe/CdS和ZnSe/CdSe/CdS/ZnCdS/ZnS等具有II型结构的核壳结构纳米晶。
3.根据权利要求1所述的纳米晶合成方法合成纳米晶，其特点在于：合成的CdS/ZnSe, CdS/ZnSe/ZnS II型核壳结构纳米晶荧光范围覆盖450-650nm。
4.根据权利要求1所述的纳米晶合成方法合成纳米晶，其特点在于：合成的ZnSe/CdSe, ZnSe/CdSe/ZnS和ZnSe/CdSe/CdS/ZnCdS/ZnS II型核壳结构纳米晶荧光范围覆盖410-650nm。
5.根据权利要求1所述的纳米晶合成方法合成纳米晶，其特点在于：合成的CdTe/CdSe, CdTe/CdS和CdTe/CdSe/CdS II型核壳结构纳米晶荧光范围覆盖600-950nm。
6.根据权利要求1所述的纳米晶合成方法合成纳米晶，其特点在于：12族元素前驱体共包括氧化镉，醋酸镉，油酸镉，硬脂酸镉，癸酸镉，月桂酸镉，十四酸镉，氧化锌，醋酸锌，油酸锌，硬脂酸锌，癸酸锌，月桂酸锌，十四酸锌等。
7.根据权利要求1所述的纳米晶合成方法合成纳米晶，其特点在于：硫属元素前驱体的溶剂包括：十八烯，液体石蜡，石蜡等。
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