[发明专利]多层陶瓷电子元件

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2012年3月13日递交到韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2012-0025783的优先权，其公开的内容通过引用并入本申请中。

技术领域

本发明涉及多层陶瓷电子元件，并且更具体地，涉及具有优良可靠性的多层陶瓷电子元件。

背景技术

工业电子装置使用的电子元件中，例如变形(warpage)、裂缝等的缺陷可能导致电子元件的功能性缺陷，由此，电子元件的可靠性是极其重要的。为了防止产生裂缝，引入了形成带有导电树脂层的外电极部分的技术。

但是，即使在外电极部分中形成有导电树脂层的情况下，需要较薄的覆盖层，因为产品趋向于具有更高的电容量。当电子元件安装到基板上后基板变形时，较薄的覆盖层可能导致电子部件中发生裂缝。

工业电子装置使用的电子元件领域中，其中产品的可靠性值得重视，甚至在其中由于基板变形而产生裂缝的情况下，需要防止裂缝对电子元件的性能产生负面影响。

【相关技术文件】

(专利文件1)日本专利公开号No.2007-067239

(专利文件2)日本专利公开号No.1996-107039

发明内容

本发明的一方面提供一种多层陶瓷电子元件，该多层陶瓷电子元件具有优良的可靠性。

根据本发明的一个方面，提供了一种多层陶瓷元件，包括：陶瓷主体，该陶瓷主体具有在陶瓷主体内层叠并且互相隔开的内电极层和浮动电极层，每个所述内电极层包括互相隔开的内电极，并且每个所述浮动电极层包括互相隔开的浮动电极；以及外电极，该外电极形成在所述陶瓷主体的两个端部并延伸至所述陶瓷主体的上表面和下表面的部分，每个所述外电极包括第一层和第二层，所述第一层包含导电金属，所述第二层形成在所述第一层上并且包含导电树脂，其中，当Tc是所述陶瓷主体的覆盖层的厚度，G是所述内电极层的内电极之间的间隙，L1是沿所述陶瓷主体的长度方向上从所述陶瓷主体的任一端部至形成在所述陶瓷主体的上表面或者下表面的所述第一层的端部的长度，Te是所述内电极的厚度，Td是所述内电极层和所述浮动电极层之间的距离，Lm是沿所述陶瓷主体的长度方向从所述陶瓷主体的任一端至所述浮动电极层的长度，以及L是所述陶瓷主体的长度时，满足Tc≤80μm，(1.5)Lm≤G≤(L-2Lm)以及L1<Lm+(Tc+Te+Td)×cot50°。

所述多层陶瓷电子元件可以是1005-尺寸或者更大。

当L2是沿所述陶瓷主体的长度方向上从所述陶瓷主体的任一端部至形成在所述陶瓷主体的上表面或者下表面的所述第二层的端部的长度时，可以满足L1<Lm+(Tc+Te+Td)×cot50°。

所述内电极和所述浮动电极可以为矩形形状。

所述内电极和所述浮动电极可以由相同的材料形成。

所述导电树脂可以包括从由银(Ag)-环氧树脂，铜(Cu)-环氧树脂以及银(Ag)包覆铜(Cu)树脂构成的组中选出的至少一种。

根据本发明的一个方面，提供了一种多层陶瓷元件，包括：陶瓷主体，该陶瓷主体具有在陶瓷主体内层叠并且互相隔开的内电极层和浮动电极层，每个所述内电极层包括互相隔开的内电极，并且每个所述浮动电极层包括互相隔开的浮动电极；以及外电极，该外电极形成在所述陶瓷主体的两个端部并延伸至所述陶瓷主体的上表面和下表面的部分，每个所述外电极包括第一层和第二层，所述第一层包含导电金属，所述第二层形成在所述第一层上并且包含导电树脂，其中，当Tc是所述陶瓷主体的覆盖层的厚度，G是所述内电极层的所述内电极之间的间隙，L1是沿所述陶瓷主体的长度方向上从所述陶瓷主体的任一端部至形成在所述陶瓷主体的上表面或者下表面的所述第一层的端部的长度，L2是沿所述陶瓷主体的长度方向上从所述陶瓷主体的任一端部至形成在所述陶瓷主体的上表面或者下表面的所述第二层的端部的长度，Te是所述内电极的厚度，Td是所述内电极层和所述浮动电极层之间的距离，Lm是沿所述陶瓷主体的长度方向从所述陶瓷主体的任一端至所述浮动电极层的长度，以及L是所述陶瓷主体的长度时，满足Tc≤80μm，(1.5)Lm≤G≤(L-2Lm)，(1.5)L1≤L2≤(1/3)L。

所述多层陶瓷电子元件可以是1005-尺寸或者更大。

所述多层陶瓷电子元件可以满足L1<Lm+(Tc+Te+Td)×cot50°。

所述内电极和所述浮动电极可以为矩形形状。

所述内电极和所述浮动电极可以由相同材料制成。