[发明专利]多层陶瓷电子元件有效
申请号: | 201310042629.8 | 申请日: | 2013-02-01 |
公开(公告)号: | CN103310978B | 公开(公告)日: | 2018-01-16 |
发明(设计)人: | 李昶浩 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01G4/30 | 分类号: | H01G4/30;H01G4/005;H01G4/232;H01G4/12 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人: | 金光军,刘奕晴 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多层 陶瓷 电子元件 | ||
1.一种多层陶瓷电子元件,该多层陶瓷电子元件包括:
陶瓷主体,该陶瓷主体具有在陶瓷主体内层叠并且互相隔开的内电极层和浮动电极层,每个所述内电极层包括互相隔开的内电极,并且每个所述浮动电极层包括互相隔开的浮动电极;以及
外电极,该外电极形成在所述陶瓷主体的两个端部并延伸至所述陶瓷主体的上表面和下表面的部分,每个所述外电极包括第一层和第二层,所述第一层包含导电金属,所述第二层形成在所述第一层上并且包含导电树脂,
其中,当Tc是所述陶瓷主体的覆盖层的厚度,G是所述内电极层的所述内电极之间的间隙,L1是沿所述陶瓷主体的长度方向从所述陶瓷主体的任一端部至形成在所述陶瓷主体的上表面或者下表面的所述第一层的端部的长度,Te是所述内电极的厚度,Td是所述内电极层和所述浮动电极层之间的距离,Lm是沿所述陶瓷主体的长度方向从所述陶瓷主体的任一端至所述浮动电极层的长度,以及L是所述陶瓷主体的长度时,满足Tc≤80μm,(1.5)Lm≤G≤(L-2Lm)以及L1<Lm+(Tc+Te+Td)×cot50°。
2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件,其中,所述多层陶瓷电子元件是1005-尺寸或者更大。
3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件,其中,当L2是沿所述陶瓷主体的长度方向上从所述陶瓷主体的任一端部至形成在所述陶瓷主体的上表面或者下表面的所述第二层的端部的长度时,满足(1.5)L1≤L2≤(1/3)L。
4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件,其中,所述内电极和所述浮动电极为矩形形状。
5.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件,其中,所述内电极和所述浮动电极由相同材料制成。
6.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件,其中,所述导电树脂包括从由银-环氧树脂,铜-环氧树脂以及银包覆铜树脂构成的组中选出的至少一者。
7.一种多层陶瓷电子元件,该多层陶瓷电子元件包括:
陶瓷主体,该陶瓷主体具有在陶瓷主体内层叠并且互相隔开的内电极层和浮动电极层,每个所述内电极层包括互相隔开的内电极,并且每个所述浮动电极层包括互相隔开的浮动电极;以及
外电极,该外电极形成在所述陶瓷主体的两个端部并延伸至所述陶瓷主体的上表面和下表面的部分,每个所述外电极包括第一层和第二层,所述第一层包含导电金属,所述第二层形成在所述第一层上并且包含导电树脂,
其中,当Tc是所述陶瓷主体的覆盖层的厚度,G是所述内电极层的所述内电极之间的间隙,L1是沿所述陶瓷主体的长度方向上从所述陶瓷主体的任一端部至形成在所述陶瓷主体的上表面或者下表面的所述第一层的端部的长度,L2是沿所述陶瓷主体的长度方向上从所述陶瓷主体的任一端部至形成在所述陶瓷主体的上表面或者下表面的所述第二层的端部的长度,Te是所述内电极的厚度,Td是所述内电极层和所述浮动电极层之间的距离,Lm是沿所述陶瓷主体的长度方向从所述陶瓷主体的任一端至所述浮动电极层的长度,以及L是所述陶瓷主体的长度时,满足Tc≤80μm,(1.5)Lm≤G≤(L-2Lm),(1.5)L1≤L2≤(1/3)L。
8.根据权利要求7所述的多层陶瓷电子元件,其中,所述多层陶瓷电子元件是1005-尺寸或者更大。
9.根据权利要求7所述的多层陶瓷电子元件,其中,所述内电极和所述浮动电极为矩形形状。
10.根据权利要求7所述的多层陶瓷电子元件,其中,所述内电极和所述浮动电极由相同材料制成。
11.根据权利要求7所述的多层陶瓷电子元件,其中,所述导电树脂包括从由银-环氧树脂,铜-环氧树脂以及银包覆铜树脂构成的组中选出的至少一者。
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