[发明专利]一种组合晶体的加工方法无效
申请号: | 201310030368.8 | 申请日: | 2013-01-25 |
公开(公告)号: | CN103074689A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | 万文;万黎明 | 申请(专利权)人: | 安徽环巢光电科技有限公司 |
主分类号: | C30B33/06 | 分类号: | C30B33/06 |
代理公司: | 安徽汇朴律师事务所 34116 | 代理人: | 丁瑞瑞 |
地址: | 238000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 组合 晶体 加工 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种加工方法,尤其是组合晶体的加工方法。
背景技术
二极管泵浦固体状态( DPSS)激光器的理想模块组件。 DPM (胶合晶体)晶体,采用特殊角和工艺将KTP晶体和YVO4晶体胶合在一起。YVO4晶体与KTP晶体结合起来,是用凝胶粘合两个通光面,容易在粘合面形成界面,降低激光输出功率。粘合操作不好,凝胶物体会导致组合晶体器件不能产生谐振,因此不出光。虽然工艺简单操作快捷,但是不合格产品太多。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种组合晶体的加工方法,能够提高YVO4晶体与KTP晶体组合晶体的合格率,提高了经济收益。
本发明是通过以下技术方案来实现的。
一种组合晶体的加工方法,包括步骤:
(1)将光胶板在80~90°C水温下浸泡5~10分钟后烘干;
(2)在光胶板上均匀涂抹上一层凝胶将YVO4晶体粘固,进行单面光学抛光加工;
(3)在光胶板上均匀涂抹上一层凝胶将KTP晶体粘固,进行单面光学抛光加工;
(4)用90~100°C的去离子水浸泡完成抛光的YVO4晶和KTP晶体,再用90-100度热水冲洗清洁;
(5)将YVO4晶和KTP晶体的经过抛光的单面光胶,然后在光交处涂抹一层聚氨酯胶密封粘接;
(6)对YVO4晶和KTP晶体的组合晶体进行镀膜加工。
进一步地,上述步骤(2)中,YVO4晶体粘固时,在其周围填充一圈YVO4晶体粉末。
进一步地,上述步骤(2)中,KTP晶体粘固时,在其周围填充一圈KTP晶体粉末。
本发明的有益效果:
通过本发明提供的方法,加工制备的YVO4晶体与KTP晶体组合晶体输出功率基本一致,激光模式稳定,提高了组合晶体的合格率,同时经济效益提高了23%-30%。
具体实施方式
下面根据实施例对本发明作进一步详细说明。
实施案例1:
组合晶体的加工方法,包括步骤:
(1)将光胶板在80~90°C水温下浸泡5~10分钟后烘干;
(2)在光胶板上均匀涂抹上一层凝胶将YVO4晶体粘固,进行单面光学抛光加工;
YVO4晶体粘固时,在其周围填充一圈YVO4晶体粉末,粉末可以起到保护晶体的作用。
(3)在光胶板上均匀涂抹上一层凝胶将KTP晶体粘固,进行单面光学抛光加工;
KTP晶体粘固时,在其周围填充一圈KTP晶体粉末,粉末可以起到保护晶体的作用。
(4)用90~100°C的去离子水浸泡完成抛光的YVO4晶和KTP晶体,再用90-100度热水冲洗清洁;
(5)将YVO4晶和KTP晶体的经过抛光的单面光胶,然后在光交处涂抹一层聚氨酯胶密封粘接;
聚氨酯胶是激光器件粘于固定器件接专用胶,耐高温,在后续的镀膜工艺中不易融化导致YVO4晶和KTP晶体之间的位置发生偏移。
(6)对YVO4晶和KTP晶体的组合晶体进行镀膜加工。
镀膜加工采用的参数为:S1: R>99.8% 1064&532nm, R<5% 808 nm;S2: R>99.8% 1064 nm, R<5% 532 nm。
本发明,组合晶体的加工方法,加工制备的YVO4晶体与KTP晶体组合晶体输出功率基本一致,激光模式稳定,提高了组合晶体的合格率,同时经济效益提高了23%-30%。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点,其目的在于让熟悉此领域技术的人士能够了解本发明内容并加以实施,并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰,都应涵盖在本发明的保护范围内。
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