[发明专利]一种氧化铝太阳电池减反膜的制备方法

权利要求书

1.一种氧化铝太阳电池减反膜的制备方法, 对单晶硅Si衬底进行超声清洗，将磁控溅射腔抽真空；通入Ar气和O₂气，采用Al靶材，溅射制备Al₂O₃太阳电池减反膜，其特征在于：其按以下步骤实施，

1）、 依次使用丙酮、无水乙醇和去离子水对单晶硅Si（100晶项）衬底进行超声清洗5min~10min；

将磁控溅射镀膜仪的腔室真空抽至≤6.0×10^-6pa；

2）、 通入Ar气和O₂气，工作压强为1.0pa~2.0pa， O₂气占Ar气和O₂气的总体积比10~35%， 采用纯度为99.99%的Al靶材，以30W~60W的溅射功率在单晶硅Si（100）衬底上溅射Al膜, Al膜在腔室中氧化得到Al₂O₃减反膜。

2.根据权利要求1所述的一种氧化铝太阳电池减反膜的制备方法, 其特征在于：依次使用丙酮、无水乙醇和去离子水对单晶硅Si（100）衬底进行超声清洗8min； 室温下，采用JCP-450三靶磁控溅射镀膜仪，金属铝（Al）靶为原料，气体为纯度为99.99%的Ar气和O₂气，O₂气占Ar气和O₂气的总体积比为30%；本底真空为6.0×10^-6pa，气体总流量为70sccm，Ar气流量为63.0sccm~45.5sccm；O₂气流量为7.0sccm~24.5sccm，； 衬底温度为250℃~400℃，调节溅射压强为1.5pa~2.0pa，溅射Al膜，溅射功率为60W，在腔室中氧化得到Al₂O₃膜。

3.根据权利要求1所述的一种氧化铝太阳电池减反膜的制备方法, 其特征在于：依次使用丙酮、无水乙醇和去离子水对单晶硅Si（100）衬底进行超声清洗5min~10min； 室温下，采用ZHD-500多功能蒸发镀膜仪利用电子束真空蒸发制备三氧化二铝（Al2O3）减反膜，蒸发原料为纯度99.99%的三氧化二铝（Al2O3）； 本底真空为6.0×10-6pa，蒸发电流为0.65A~0.75A电压随电流自动设置，高压为80KV，束流5mA~15mA，  在衬底上蒸发制备三氧化二铝（Al2O3）减反膜，样品在RTP-500退火炉中以250℃~400℃的退火温度，N2气氛中快速退火5min~15min， 采用真空电子束蒸发制备的Al2O3膜，在300nm~1100nm高透过率为85%~98%，折射率为1.57~1.76。