[发明专利]存储器编程方法和存储器

说明书

技术领域

本发明涉及计算机领域，并且特别地，涉及一种存储器编程方法和存储器。

背景技术

通常，存储器阵列中包括多个晶体管，根据存储内容及存储器编程方法的不同，晶体管需要选择性地与位线(Bit Line，简称为BL)和公共电压端(例如，VSS)连接。

由于晶体管需要选择性的连接至位线，因此，如果连接至位线的晶体管数量越多，则位线电容越大，对存储器的性能会产生不良的影响。同时，相邻存储单元能否共享源、漏极，则关系到存储器的面积及位线电容的大小，从而影响到存储器的整体性能。

相关技术文献中针对存储器面积及位线电容的共同优化，目前尚未提出有效地解决方案。

发明内容

针对相关技术中因存储单元编程方式导致存储器阵列面积大或位线电容大、工作受影响的问题，本发明提出一种存储器编程方法和存储器，能够有效减小存储器阵列的面积，降低位线电容。

本发明的技术方案是这样实现的：

根据本发明的一个方面，提供了一种存储器编程方法，该方法包括：

确定存储器的每列存储单元中连续且编码值为第一编码值的多个单元节点；对于每列存储单元，在连续且编码值为第一编码值的多个单元节点中，将位于端部位置的单元节点的源极和漏极中的一个连接至第一电压线和第二电压线中之一，将源极和漏极中的另一个悬空不接。

其中，对于连续且编码值为第一编码值的多个单元节点中位于非端部位置的单元节点，该单元节点的源极和漏极与第一电压线和第二电压线均不连接。

另外，该方法可进一步包括：

将存储器的每列存储单元划分为多个子组，其中，将被连续且编码值为第一编码值的单元节点隔开的单元节点划分为一个子组，每个子组内不包括编码值为第一编码值且连续的单元节点。

进一步地，该方法可以进一步包括：

将每个子组内编码值为第二编码值的单元节点的源极和漏极中的一个与第一电压线相连接，该单元节点的漏极或源极中的另一个与第二电压线相连接。

此外，该方法可进一步包括：

将每个子组内编码值为第一编码值的单元节点的源极和漏极与第一电压线或第二电压线相连接。

另外，该方法还可以进一步包括：

确定每个子组内参考节点的连接方式，并根据确定的参考晶体管的连接方式确定该子组内其他晶体管的连接方式，其中，如果(a+c)＞＝(b+d)，则确定将参考节点的漏极连接至第一电压线，并将参考节点的源极连接至第二电压线；如果(a+c)＜(b+d)，则确定将参考节点的源极连接至第一电压线，并将参考节点的漏极连接至第二电压线；

其中，参考节点为预定的编程方向上该子组内的首个编码值为第二编码值的单元节点，a为该子组内第m个编码值为第二编码值的单元节点的数量，m为奇数，b为该子组内第n个编码值为第二编码值的单元节点的数量，n为偶数，c为紧邻该子组内第m个编码值为第二编码值的单元节点之后的编码值为第一编码值的单元节点的数量，d为紧邻该子组内第n个编码值为第二编码值的单元节点之后的编码值为第一编码值的单元节点的数量。

另外，该方法进一步包括：将满足以下条件的单元节点的源极或漏极连接至第一电源线电压线和第二电源线电压线中之一，将漏极或源极中的另一个悬空不接：

该单元节点位于存储器每一列存储单元的端部位置；

该单元节点的编码值为第一编码值；

该单元节点邻近的单元节点的编码值为第二编码值。

此外，上述第一电压线可以为VSS线，第二电压线可以为位线。

另外，对于存储器的每个单元节点，在预定的编程方向上，该单元节点的晶体管的漏极与下一单元节点的晶体管的源极共享。

可选地，上述第一编码值可以为0，第二编码值为1；或者，第一编码值可以为1，第二编码值为0。

根据本发明的另一方面，提供了一种存储器，包括多个单元节点，其中，对于存储器的每列存储单元，连续且编码值为第一编码值的多个单元节点中位于端部位置的单元节点的源极和漏极中的一个连接至第一电压线和第二电压线中之一，源极和漏极中的另一个悬空不接。

此外，对于连续且编码值为第一编码值的多个单元节点中位于非端部位置的单元节点，该单元节点的源极和漏极与第一电压线和第二电压线均不连接。

另外，存储器的每列存储单元被划分为多个子组，其中，将被连续且编码值为第一编码值的单元节点隔开的单元节点划分为一个子组，每个子组内不包括编码值为第一编码值且连续的单元节点。