[发明专利]一种修饰氧化铟锡阳极及其制备方法和有机电致发光器件有效
申请号: | 201310010897.1 | 申请日: | 2013-01-11 |
公开(公告)号: | CN103928630A | 公开(公告)日: | 2014-07-16 |
发明(设计)人: | 周明杰;王平;冯小明;张娟娟 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 修饰 氧化 阳极 及其 制备 方法 有机 电致发光 器件 | ||
1.一种修饰氧化铟锡阳极,包括氧化铟锡阳极和修饰层,所述氧化铟锡阳极包括玻璃基板和设置在所述玻璃基板表面的氧化铟锡薄膜,所述修饰层设置在所述氧化铟锡薄膜表面,其特征在于,所述修饰层的物质为如式(1)所示的化合物
式中,n=4、6、8或10。
2.如权利要求1所述的修饰氧化铟锡阳极,其特征在于,所述修饰层为如式(1)所示的化合物形成的一层单分子薄膜。
3.如权利要求1所述的修饰氧化铟锡阳极,其特征在于,所述氧化铟锡薄膜的厚度为70~200nm。
4.一种修饰氧化铟锡阳极的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供洁净的氧化铟锡阳极,所述氧化铟锡阳极包括玻璃基板和设置在所述玻璃基板表面的氧化铟锡薄膜;
将所述氧化铟锡阳极浸入浓度为0.01~2mol/L的乙二胺溶液中,浸入2~10分钟后,取出,干燥;
随后,将所述氧化铟锡阳极浸入浓度为2~10mmol/L的全氟脂肪酸溶液中,浸泡5~20分钟后,取出,氮气吹干,即得修饰氧化铟锡阳极,所述修饰氧化铟锡阳极的氧化铟锡薄膜表面具有修饰层,所述修饰层的物质为乙二胺与全氟脂肪酸反应形成的如式(1)所示的化合物,
式中,n=4、6、8或10;
所述全氟脂肪酸的通式为CF3(CF2)n-COOH,其中,n=4、6、8或10。
5.如权利要求4所述的修饰氧化铟锡阳极的制备方法,其特征在于,所述乙二胺溶液的溶剂为甲醇、乙醇,异丙醇或正丁醇。
6.如权利要求4所述的修饰氧化铟锡阳极的制备方法,其特征在于,所述全氟脂肪酸溶液的溶剂为十一烷、十二烷、十四烷或十六烷。
7.如权利要求4所述的修饰氧化铟锡阳极的制备方法,其特征在于,所述干燥的具体操作为:在50~80℃下真空干燥12~24小时。
8.如权利要求4所述的修饰氧化铟锡阳极的制备方法,其特征在于,所述氧化铟锡薄膜的厚度为70~200nm。
9.一种有机电致发光器件,包括阳极、功能层、发光层和阴极,其特征在于,所述阳极为修饰氧化铟锡阳极,所述修饰氧化铟锡阳极包括氧化铟锡阳极和修饰层,所述氧化铟锡阳极包括玻璃基板和设置在所述玻璃基板表面的氧化铟锡薄膜,所述修饰层设置在所述氧化铟锡薄膜表面,所述修饰层的物质为如式(1)所示的化合物,
式中,n=4、6、8或10。
10.如权利要求9所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述氧化铟锡薄膜的厚度为70~200nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择