[发明专利]一种NOR闪存器件的退火工艺及NOR闪存器件在审
| 申请号： | 201310010804.5 | 申请日： | 2013-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN103077927A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 王辉;黄兆兴 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 马晓亚 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 nor 闪存 器件 退火 工艺 | ||
1.一种NOR闪存器件的退火工艺，包括：
在半导体衬底上形成阱区，
对所述阱区进行退火，其特征在于，所述退火是变温退火，即是在退火气氛下，将温度从900-1000℃中的某一温度降至700-800℃中的某一温度，完成对所述阱区的退火。
2.根据权利要求1所述的NOR闪存器件的退火工艺，其特征在于，所述降温是从950℃降至750℃。
3.根据权利要求1所述的NOR闪存器件的退火工艺，其特征在于，所述降温是从1000℃降至800℃。
4.根据权利要求1所述的NOR闪存器件的退火工艺，其特征在于，所述降温是从900℃降至700℃。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的NOR闪存器件的退火工艺，其特征在于，所述的降温速度为：1-5℃/Min。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的NOR闪存器件的退火工艺，其特征在于，所述的降温速度为：2.5℃/Min。
7.根据权利要求1-4中任一项所述的NOR闪存器件的退火工艺，其特征在于，对阱区进行退火的时间为40-200Min。
8.根据权利要求7所述的NOR闪存器件的退火工艺，其特征在于，对阱区进行退火的时间为90Min。
9.根据权利要求1-4所中任一项所述的NOR闪存器件的退火工艺，其特征在于，所述的退火气氛为N2和O2。
10.根据权利要求9所述的NOR闪存器件的退火工艺，其特征在于，所述N2气氛的流量为15-18L/Min，O2气氛的流量为0.8-1.25L/Min。
11.一种NOR闪存器件，其特征在于，制作其的过程中采用权利要求1-10中任一项所述的NOR闪存器件的退火工艺进行退火。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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