[发明专利]薄膜晶体管、显示设备和有机发光显示设备

说明书

本申请要求于2012年3月15日提交到韩国知识产权局的第10-2012-0026602号韩国专利申请的权益，上述申请的公开通过引用全部包含于此。

技术领域

实施例涉及一种薄膜晶体管（TFT）、一种包括该TFT的显示设备以及一种包括该TFT的有机发光显示设备。

背景技术

TFT被用作液晶显示设备或有机发光显示设备的驱动器件或开关器件。TFT的特性受沟道层的材料和状态的影响。

因为非晶硅具有低的迁移率，所以具有高的迁移率且在低温下进行处理的氧化物半导体已经越来越多地被用作TFT的沟道层。

发明内容

实施例针对一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅电极，具有在第一方向上测量的第一长度和在第二方向上测量的第一宽度；活性层，具有在第一方向上测量的第二长度和在第二方向上测量的第二宽度，活性层的第二长度比栅电极的第一长度长，活性层的第二宽度比栅电极的第一宽度长；以及连接至活性层的源电极和漏电极，其中，栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边中的至少一个与活性层的沿第一方向延伸的对应的相对侧边分隔开。

栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边可以与活性层的沿第一方向延伸的相对侧边分隔开。

栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边可以与活性层的沿第一方向延伸的相对侧边分隔开相同的间隔。

栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边可以设置在活性层的沿第一方向延伸的相对侧边内。

栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边中的一个可以沿第二方向连接至布线，该布线在第一方向上具有比栅电极的第一长度短的宽度，并且布线与活性层的沿第一方向延伸的边界叠置。

栅电极的第一长度可以比栅电极的第一宽度长。

源电极和漏电极可以沿第一方向延伸并彼此面对。

活性层可以包括氧化物半导体。

活性层可以包括氧以及从镓、铟、锌、铪和锡中选择的至少一种元素。

源电极和漏电极可以通过相应的接触孔连接至活性层。

活性层可以包括离子杂质掺杂在其中的区域。源电极和漏电极可以通过接触孔连接至该区域。

源电极和漏电极可以通过相应的欧姆接触层连接至活性层。

栅电极可以设置在活性层下方。

栅电极可以设置在活性层上方。

实施例还针对一种显示设备，所述显示设备包括薄膜晶体管和由薄膜晶体管驱动的显示设备，所述薄膜晶体管包括：栅电极，具有在第一方向上测量的第一长度和在第二方向上测量的第一宽度；活性层，具有在第一方向上测量的第二长度和在第二方向上测量的第二宽度，活性层的第二长度比栅电极的第一长度长，活性层的第二宽度比栅电极的第一宽度长；以及连接至活性层的源电极和漏电极，其中，栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边中的至少一个与活性层的沿第一方向延伸的对应的相对侧边分隔开。

实施例还针对一种有机发光显示设备，所述有机发光显示设备包括：薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极、活性层以及连接至活性层的源电极和漏电极，栅电极具有在第一方向上测量的第一长度和在第二方向上测量的第一宽度，活性层具有在第一方向上测量的第二长度和在第二方向上测量的第二宽度，活性层的第二长度比栅电极的第一长度长，活性层的第二宽度比栅电极的第一宽度长，其中，栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边中的至少一个与活性层的沿第一方向延伸的对应的相对侧边分隔开；像素电极，连接至薄膜晶体管的源电极和漏电极中的一个；对向电极，面对像素电极；以及有机发光层，设置在像素电极和对向电极之间。

附图说明

通过参照附图详细地描述示例性实施例，对于本领域技术人员来说，特征将变得清楚，其中：

图1示出了根据实施例的TFT，图1中的（a）示出了根据实施例的TFT的剖视图，图1中的（b）示出了根据实施例的TFT的平面图；

图2示出了根据图1的实施例的TFT的栅极电压（Vg）-漏电流（Id）关系的曲线图；

图3示出根据对比示例的TFT的平面图；

图4示出根据图3的对比示例的TFT的Vg-Id关系的曲线图；

图5示出根据另一个实施例的TFT的剖视图；

图6示出根据另一个实施例的TFT的剖视图；

图7示出根据另一个实施例的TFT的剖视图；

图8示出根据另一个实施例的TFT的剖视图；以及

图9示出根据实施例的包括图1的TFT的有机发光显示设备7的剖视图。

具体实施方式