[发明专利]薄膜晶体管、显示设备和有机发光显示设备

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

栅电极，具有在第一方向上测量的第一长度和在第二方向上测量的第一宽度；

活性层，具有在第一方向上测量的第二长度和在第二方向上测量的第二宽度，活性层的第二长度比栅电极的第一长度长，活性层的第二宽度比栅电极的第一宽度长；以及

源电极和漏电极，连接到活性层；

其中，栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边中的至少一个与活性层的沿第一方向延伸的对应的相对侧边分隔开,

其中，栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边中的一个沿第二方向连接到布线，所述布线在第一方向上具有比栅电极的第一长度短的宽度，并且布线与活性层的沿第一方向延伸的边界叠置。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边与活性层的沿第一方向延伸的相对侧边分隔开。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边与活性层的沿第一方向延伸的相对侧边分隔开相同的间隔。

4.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边设置在活性层的沿第一方向延伸的相对侧边内。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，栅电极的第一长度比栅电极的第一宽度长。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，源电极和漏电极沿第一方向延伸并彼此面对。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，活性层包括氧化物半导体。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其中，活性层包括氧以及从镓、铟、锌、铪和锡中选择的至少一种元素。

9.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，源电极和漏电极通过相应的接触孔连接到活性层。

10.如权利要求9所述的薄膜晶体管，其中：

活性层包括掺杂有离子杂质的区域，以及

源电极和漏电极通过接触孔连接到所述区域。

11.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，源电极和漏电极通过相应的欧姆接触层连接到活性层。

12.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，栅电极设置在活性层下方。

13.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，栅电极设置在活性层上方。

14.一种显示设备，所述显示设备包括：

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

栅电极，具有在第一方向上测量的第一长度和在第二方向上测量的第一宽度；

活性层，具有在第一方向上测量的第二长度和在第二方向上测量的第二宽度，活性层的第二长度比栅电极的第一长度长，活性层的第二宽度比栅电极的第一宽度长；

连接到活性层的源电极和漏电极，其中，栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边中的至少一个与活性层的沿第一方向延伸的对应的相对侧边分隔开；以及

由薄膜晶体管驱动的显示设备；

其中，栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边中的一个沿第二方向连接到布线，所述布线在第一方向上具有比栅电极的第一长度短的宽度，并且布线与活性层的沿第一方向延伸的边界叠置。

15.一种有机发光显示设备，所述有机发光显示设备包括：

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

栅电极，具有在第一方向上测量的第一长度和在第二方向上测量的第一宽度；

活性层，具有在第一方向上测量的第二长度和在第二方向上测量的第二宽度，活性层的第二长度比栅电极的第一长度长，活性层的第二宽度比栅电极的第一宽度长；

连接到活性层的源电极和漏电极，其中，栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边中的至少一个与活性层的沿第一方向延伸的对应的相对侧边分隔开；

像素电极，连接到薄膜晶体管的源电极和漏电极中的一个；

对向电极，面对像素电极；以及

有机发光层，设置在像素电极和对向电极之间；

其中，栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边中的一个沿第二方向连接到布线，所述布线在第一方向上具有比栅电极的第一长度短的宽度，并且布线与活性层的沿第一方向延伸的边界叠置。