[发明专利]化学腐蚀硅通孔面过电镀铜层的装置及方法有效
| 申请号： | 201310007782.7 | 申请日： | 2013-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN103021937A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 于大全;伍恒;程万 | 申请（专利权）人： | 江苏物联网研究发展中心 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 殷红梅 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化学 腐蚀 硅通孔面 过电 镀铜 装置 方法 | ||
【权利要求书】：
1.化学腐蚀硅通孔面过电镀铜层的装置，其特征是：包括铜腐蚀槽（1），在铜腐蚀槽（1）内设有一测距传感器（2）用于测量槽内液位，铜腐蚀槽（1）的底部设有腐蚀液的进口和出口，分别安装进口阀门（3）和出口阀门（4）；还包括用于把持晶圆片的机械臂杆（5），用于将TSV电镀后的晶圆片（6）表面浸入铜腐蚀槽（1）内的腐蚀液（7）中；所述测距传感器（2）、进口阀门（3）、出口阀门（4）和机械臂杆（5）的控制器均连接到总的控制器或计算机。
2.如权利要求1所述化学腐蚀硅通孔面过电镀铜层的装置，其特征是，所述测距传感器（2）采用超声波测距传感器。
3.如权利要求1所述化学腐蚀硅通孔面过电镀铜层的装置，其特征是，所述测距传感器（2）设置在铜腐蚀槽（1）槽壁。
4.化学腐蚀硅通孔面过电镀铜层的方法，其特征是：化学腐蚀硅通孔面过电镀铜层前，先将进口阀门（3）打开，通入腐蚀液，测距传感器（2）开始采集液位数值，传至总的控制器或计算机并进行显示，待液位达至设定液位时，再打开出口阀门（4），使进口阀门（3）和出口阀门（4）流量一样；此时通过外部臂杆（5）将晶圆片送至铜腐蚀槽（1）内，晶圆片表面的过电镀铜层皆浸入腐蚀液，进行晶圆表层铜的化学腐蚀，腐蚀完成即取出、清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
