[发明专利]共享芯片选择线的封装存储器管芯

说明书

背景技术

封装指的是在壳体中装入半导体管芯以防止对管芯以及导引至管芯中的接触的物理损坏。壳体可以由塑胶或陶瓷材料制成。双列直插存储器模块（“DIMM”）可以包括动态随机访问存储器（“DRAM”），其被容纳在电路板的两侧面上的各种数量的封装中。

两个管芯可以驻留在相同的封装中。“相对面向”的管芯驻留在相同的封装中，并且在与所述板的平面垂直的方向上是相邻的。与板最接近的管芯“面向下”（所述接触从管芯的侧面朝向所述板散发）并且与所述板最远的管芯“面向上”（所述接触从所述管芯的侧面远离所述板散发）。“双面向上”的管芯驻留在相同的封装中，并且在与所述板的平面垂直的方向上也是相邻的。离所述板最接近的管芯以及离所述板最远的管芯二者具有从离所述板最远的管芯的侧面散发的接触。“双面向下”的管芯驻留在相同的封装中，并且在与所述板的平面垂直的方向上也是相邻的。离所述板最近的管芯以及离所述板最远的管芯二者具有从离所述板最近的管芯的侧面散发的接触。

附图说明

为了详细描述各种示例，现在将参考附图，其中：

图1图示了依据至少一些图示示例的存储器管芯的封装；

图2图示了依据至少一些图示示例的包括存储器管芯的至少一个封装的存储器模块；以及

图3图示了依据至少一些图示示例的包括存储器管芯的至少一个封装的错误修正系统。

具体实施方式

把两个4位的管芯并排、在与所述板的平面垂直的方向上不相邻或部分相邻地插入到相同的8位封装中考虑到众多的益处，尤其当多个这种封装在存储器模块上被使用时。例如，如果整个管芯故障（每个位包含错误），则错误修正技术可以考虑到剩余管芯和存储器模块的继续操作。考虑到使用一个8位管芯而不是两个4位管芯，如果8位管芯的大于4位产生错误，则至少一个错误不能被修正。如此，存储器模块应被替换。附加地，如果整个管芯故障，则包括8位管芯的存储器模块不能够继续操作。此外，因为两个4位管芯可以被并排放置在8位封装中，所以与需要较上的管芯比较下的管芯具有较长的接触（由于较上管芯与所述板的较远距离）的堆叠管芯相比，所述管芯可以是相同的。

8位管芯包括8条数据线，每个位一条数据线，并且还可以被称为“乘8管芯”或“x8管芯”。被设计成收纳8位管芯的封装也可以被称为“乘8”或“x8”封装。当封装收纳8位管芯时，封装可以以8位存储器模式进行操作。在8位存储器模式中，对应于8位管芯的8条数据线的封装的8个管脚DQ0-DQ7可以被用于发送和接收数据。

两个管脚TDQS和TDQS#可以被用于在8位存储器模式中提供终结电阻。终结电阻防止信号失真和定时问题，并且可以由耦合到管脚的电阻器提供。在8位存储器模式中，TDQS管脚可以在数据屏蔽（“DM”）功能和终结电阻功能之间来回切换。输入或写入数据可以使用DM功能用位的式样来屏蔽。当TDQS被启用时，DM功能不被支持。当TDQS被禁止时，DM功能被支持。

在8位存储器模式中，两个管脚DQS和DQS#可以被用作差动数据选通。数据选通管脚被用于发信号通知管芯应读何时取且写入到数据线。例如，读取可以在DQS信号的边缘发生，并且写入可以在DQS信号的中心期间发生。在其它时间，DQS#信号被置有效。

一个管脚ZQ可以被用作外部参考管脚，以用于输出驱动校准，即，参考电压。在至少一个示例中，这个管脚可以被耦合到外部电阻器，例如，240Ω电阻器，并且电阻器可以被耦合到接地管脚。ZQ管脚可以与在8位存储器模式中未被使用的管脚相邻。

图1图示了依据至少一些图示示例的包括封装102的封装的存储器管芯的系统100的顶视图。系统100可以包括封装102，其在至少一个示例中被设计成收纳8位管芯，而不是替代地收纳两个4位管芯104、106。在至少一个示例中，两个4位管芯驻留在被用于收纳8位管芯的相同的物理尺寸中。如此，封装102可以是7.85-9.15毫米宽以及10.85-11.15毫米长。封装102可以是0.96-1.2毫米厚（包括管脚），或者封装102可以是0.7-0.95毫米厚（排除管脚）。其它尺寸可以被用于各种其它的示例。当封装102收纳8位管芯时，封装可以以8位存储器模式进行操作。当封装102收纳两个4位管芯时，封装102可以以2x4位存储器模式进行操作。所述2x4位存储器模式在图1中被示出。