[发明专利]包括静电衬底载体的支撑物有效
申请号: | 201280063150.6 | 申请日: | 2012-12-19 |
公开(公告)号: | CN104011846A | 公开(公告)日: | 2014-08-27 |
发明(设计)人: | F·托瑞格罗萨;L·洛克斯 | 申请(专利权)人: | 离子射线服务公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H02N13/00;H01L21/67 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 郭思宇 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 静电 衬底 载体 支撑 | ||
技术领域
本发明涉及包括静电衬底载体的支撑物。
本发明的领域是在低压气氛中处理部件的领域,这些部件安装于支撑物上并经受加热。
这主要涉及被处理部件是衬底的微电子器件。具体而言,本发明涉及使得能够在衬底内注入杂质的离子注入:被称为“掺杂”的技术。掺杂用于改变衬底的某些性能,这些性能为机械性能、热性能、电性能、疏水性能等。
背景技术
当前,为了执行这种注入,能够使用以等离子浸入模式工作的离子注入器。因此,在衬底中注入离子在于:将衬底浸入等离子中,以及,出于建立能够向衬底加速等离子的离子的电场的目的,用处于几十伏到几十千伏(一般小于100kV)的范围中的负电压向其施加偏压,使得它们变得注入其中。以这种方式注入的原子被称为掺杂剂。偏压一般为脉冲形式。
离子的渗透深度由它们的加速能量确定。它一方面依赖于向衬底施加的电压,另一方面依赖于离子和衬底各自的性质。注入原子的浓度依赖于以每平方厘米(cm2)的离子数量表示的剂量以及注入深度。
注入在真空的外封壳内执行,使得单独地通过辐射交换热,由此使得能够正确地控制衬底的温度。
文献US7,126,808B2提出具有装配有静电衬底载体的支撑物的装置,该静电衬底载体包含致冷室。该装置包含具有在其顶面与其底面之间延伸的多个通道的衬底载体。在各通道中存在提升销钉。提升销钉主要用于将衬底提升稍许在衬底载体之上,以提供静电夹紧。存在于衬底与衬底载体之间的空间被致冷气体填充。
衬底仅保持在衬底载体的周边,并且,从机械的角度说,这是不令人满意的。
在图1中示出另一已知的支撑物。该支撑物基本上包含三个部分:
·偏压台10;
·衬底载体20;和
·夹紧环30。
台10被偏压到高电压(直流或脉冲的),并且它采取具有导管11的导体板的形式,该导管11在其两个面上打开。更详细地描述导管11的功能。
绝缘衬底载体20通过配置于衬底载体的底面的周边上的垫圈12停留在台10上。它采取靠着其顶面承载的圆柱的形式。该圆柱具有从其基体突出的肩部21。
夹紧环30用于通过挤向肩部21来夹紧台10上的衬底载体20,这是通过多个螺钉31完成的。
衬底载体20的顶面22在其周边上呈现环23,并且它还呈现在环内分布的多个桩体24。环23和桩体24的厚度同样,一般为10微米(μm)~15μm。环23和桩体24的顶部由此限定衬底40停留于其上面的承载面。
对于衬底静电夹紧使用第一类型的电极。这些电极被成对配置。它们被设置在与顶面22平行的面中,该面与顶面非常接近。它们由本领域技术人员已知的任何手段制成,例如,通过借助于所谓的“层厚”技术。
位于图右侧的一对包括正电极25或阳极和负电极26或阴极。原理在于实现双电容器:
阳极-衬底电容器;和
衬底-阴板电容器。
另外,确保在衬底40与偏压台10之间存在电接触是合适的,这是通过第二类型的电极完成的。
出于这种目的,多个通道适当地穿过衬底载体20。图右侧的通道27接收安装于在台10上承载的弹簧29上的销钉28,并因此将销钉28压在衬底40上。销钉-弹簧对构成第二类型的电极,并且这样的一个对被设置在各通道中。
在台中形成的导管11用于用氦气填充出现在衬底载体20的底面与台之间的第一空间。
位于衬底载体20的顶面22与衬底40之间的第二空间也通过通道被氦气填充。为了使第一和第二空间相互连通,甚至能够设置穿过衬底载体的附加的开口(未示出)。
适于操作衬底的手段(装置)被省略,原因是它们对于本领域技术人员来说是已知的。
在注入时,通过第二类型的电极泄漏注入电流。销钉28的接触面积较小,因此电流密度较高。这可导致销钉熔融并导致衬底的后面被污染,特别是如果偏压是脉冲偏压。
发明内容
因此,本发明的目的是,增加注入电流通过的表面积。
根据本发明,一种支撑物包括:
·导电偏压台;
·具有肩部的圆柱形式的绝缘静电衬底载体,衬底载体的底面面向偏压台,并且,其顶面呈现被设置为接收衬底的承载面;和
·用于紧固所述肩部在所述偏压台上的导电夹紧环,
另外,该支撑物还包括用于将承载面连接到肩部上的至少一个导电元件。
在第一实施例中,导电元件包含:
·布置于顶面的周边的第一条带;
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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