[发明专利]一种具有光敏材料的电池的组件的半成品的制造方法、以及半成品及其制造设备无效
| 申请号: | 201280061072.6 | 申请日: | 2012-08-20 |
| 公开(公告)号: | CN104094410A | 公开(公告)日: | 2014-10-08 |
| 发明(设计)人: | 德克·阿尔布利齐;尼科·施拉姆;海因茨·布施曼 | 申请(专利权)人: | 思泰科太阳能有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/048;H01L31/05;H01L31/02 |
| 代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 董科 |
| 地址: | 德国诺*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 具有 光敏 材料 电池 组件 半成品 制造 方法 以及 及其 设备 | ||
1.一种对具有光敏材料电池组件的半成品的制造方法,尤其为一种太阳能电池,其特征在于,所述方法包括如下步骤:
-提供一基底(1);
-将一种光敏材料的电池(2,3)以所述电池(2,3)的光入射或光反射面朝向所述基底(1)的方式设置在所述基底(1)上;
-构建粘合剂化合物层(10),其中,电池(2,3)和在电池(2,3)的连接导线上形成的接触连接器(7)部分或全部嵌入所述粘合剂化合物层中;
-构建接触区域(8),所述接触区域形成在基底(1)的后侧,接触连接器(7)形成在所述接触区域内,
其中,所述的接触连接器(7)随后再次暴露用于构建接触区域(8),为此移除了安装在接触连接器(7)上的一层复合物(14);
其中,为了移除所述的复合物层(14),减少了接触连接器(7)和安装在接触连接器(7)之上的粘合剂化合物层(10)之间的粘连,在使用粘合剂化合物层(10)和/或接触连接器(7)和/或安装在邻近接触连接器(7)的粘合剂化合物层(10)的至少一个区域装载有活化能之前,在接触连接器(7)之上安装一覆盖层(9)。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,形成了后侧覆盖层(11),所述后侧覆盖层至少与粘合剂化合物层(10)粘连。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,为了构建位于所述后侧覆盖层(11)之内的接触区域(8),由于构建接触区域(8)而制作一分割部分,沿着分割部分,移除复合物层(14)时,打开所述后侧覆盖层(11)。
4.根据权利要求2或3所述的方法,其特征在于,应用所述后侧覆盖层(11)时需使用一覆盖层开口(12),将所述覆盖层开口分配给待构建的接触区域(8)并且预先生产该覆盖层开口。
5.根据前述的至少一个权利要求所述的方法,其特征在于,当移除复合物层时,至少部分移除接触连接器(7)之上的表面层移除。
6.根据前述的至少一个权利要求所述的方法,其特征在于,由于加载活化能,一接触连接器(7)的表面区域和/或邻近接触连接器(7)的粘合剂化合物层(10)的一个区域软化,或直至熔化。
7.根据前述的至少一个权利要求所述的方法,其特征在于,拖出元件(13)安装在复合物层(14)外部,为了随后暴露接触连接器(7),使用拖出元件移除所述复合物层。
8.一种由光敏材料制造的电池的组件半成品,尤其是一种太阳能电池,具有一层状装置,所述层状装置包括:
-一基底(1);
-一以电池(2,3)的光入射或光反射面(4)朝向所述基底(1)的方式设置在基底(1)上的光敏材料电池(2,3);
-一粘合剂化合物层(10),其中,电池(2,3)和在电池(2,3)的连接导线(6)上形成的接触连接器(7)部分或全部嵌入所述粘合剂化合物层中;
其中,形成一用于连接接触器(7)的后续暴露的可拆分的复合物层(14),用以在基底(1)的后侧(5)上构建接触区域(8)暴所述基底内具有连接接触器(7)。
9.根据权利要求8所述的半成品,其特征在于,所述的覆盖层(9)至少部分覆盖接触连接器(7)。
10.根据权利要求8或9所述的半成品,其特征在于,所述拖出元件(13)安装在所述复合物层(14)的外部。
11.根据至少权利要求8-10中任意一所述的一种半成品,其特征在于,所述的覆盖层(9)粘附在所述接触连接器(7)之上,并且,所述粘合剂化合物层(10)与所述覆盖层(9)之间的粘结力大于所述覆盖层(9)与所述接触连接器(7)之间的粘结力。
12.根据至少权利要求8-11中任意一所述一种半成品,其特征在于,所述接触区域(8)延伸在基底(1)上的后侧(5)的至少一个区域:侧向地延伸至电池(2,3)和电池后侧(16)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





