[发明专利]发光装置、照明装置以及发光装置的制造方法有效
| 申请号： | 201280053485.X | 申请日： | 2012-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN103907211B | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 神川刚 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/60 | 分类号： | H01L33/60;F21S2/00;F21V29/00;H01L33/64;F21Y115/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 装置 照明 以及 制造 方法 | ||
1.一种发光装置，其特征在于，具有：
发光元件；
具有搭载所述发光元件的搭载面、以及位于与所述搭载面相反一侧且不搭载所述发光元件的面即非搭载面的陶瓷基板；
形成于所述非搭载面上，且反射透过所述陶瓷基板的、来自所述发光元件的光的金属反射膜。
2.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述陶瓷基板的所述非搭载面的最大高度粗糙度(Rz)为所述发光元件射出的光的波长以下。
3.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述陶瓷基板的所述非搭载面的算术平均粗糙度(Ra)为0.04μm以下。
4.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述陶瓷基板的厚度为0.2mm以上、2.0mm以下。
5.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述金属反射膜包括Ag及其合金的反射膜、以及Al及其合金的反射膜的任一种。
6.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述金属反射膜的形成区域包括所述发光元件正下方的区域。
7.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述陶瓷基板包括由矾土的烧结体形成的基板。
8.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，进而具有形成于所述陶瓷基板的所述搭载面上，用来密封所述发光元件的密封体，该密封体含有由来自所述发光元件的光激发的荧光体。
9.一种发光装置，其特征在于，具有：
发光元件；
具有搭载所述发光元件的搭载面、以及位于与所述搭载面相反一侧且未搭载所述发光元件的面即非搭载面的陶瓷基板；
形成于所述非搭载面上，且反射透过所述陶瓷基板的、来自所述发光元件的光的金属反射膜；
所述陶瓷基板的所述搭载面的表面粗糙度大于所述非搭载面的表面粗糙度。
10.如权利要求9所述的发光装置，其特征在于，所述陶瓷基板的所述搭载面的算术平均粗糙度(Ra)大于0.04μm。
11.如权利要求9所述的发光装置，其特征在于，所述陶瓷基板的所述非搭载面的算术平均粗糙度(Ra)为0.04μm以下。
12.一种照明装置，其特征在于，搭载权利要求1～11中任一项所述的发光装置。
13.一种发光装置的制造方法，为在陶瓷基板上搭载发光元件的发光装置的制造方法；
其特征在于，包括：在所述陶瓷基板的一个面上形成用来使从所述发光元件射出的、透过所述陶瓷基板的光反射的金属反射膜的工序；
在所述陶瓷基板的另一个面上搭载所述发光元件的工序。
14.如权利要求13所述的发光装置的制造方法，其特征在于，在形成所述金属反射膜的工序前，进而具有为使所述陶瓷基板的一个面的算术平均粗糙度(Ra)为0.04μm以下而对所述一个面进行研磨的工序。
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