[发明专利]利用了受光发光一体型元件的受光发光装置及传感器装置有效
申请号: | 201280052356.9 | 申请日: | 2012-10-30 |
公开(公告)号: | CN103890973A | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
发明(设计)人: | 奥芝浩之 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
主分类号: | H01L31/12 | 分类号: | H01L31/12;H01L31/10 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 齐秀凤 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 发光 体型 元件 装置 传感器 | ||
1.一种受光发光装置,利用了受光元件和发光元件被设置在基板的一个主面上的受光发光一体型元件,该受光发光装置的特征在于,
所述基板由一导电型半导体构成,
在所述基板的另一个主面的至少与所述受光元件以及所述发光元件对应的区域,配置至少一个电极层,
所述受光元件具有:形成在所述基板的一个主面侧的第1另一导电型半导体层;形成在该第1另一导电型半导体层的上表面的第1阳极电极;和形成在所述基板的一个主面的上表面的第1阴极电极,
所述受光发光装置还具备运算放大器,该运算放大器的反相输入端子与所述第1阳极电极连接,非反相输入端子与所述第1阴极电极以及所述电极层连接,
所述电极层、所述第1阳极电极以及所述第1阴极电极被设为相同电位。
2.根据权利要求1所述的受光发光装置,其特征在于,
所述发光元件在所述基板的一个主面上具有本征半导体层,并且在该本征半导体层的上方具有至少包含第2一导电型半导体层以及第2另一导电型半导体层的半导体层,
所述第2另一导电型半导体层被形成得小于所述第2一导电型半导体层,以使该第2一导电型半导体层的上表面的一部分露出,
所述发光元件还具有:形成在所述第2一导电型半导体层的上表面的第2阴极电极;和形成在所述第2另一导电型半导体层的上表面的第2阳极电极,
所述非反相输入端子还与所述第2阴极电极连接,
所述电极层、所述第1阳极电极、所述第1阴极电极以及所述第2阴极电极被设为相同电位。
3.根据权利要求1或2所述的受光发光装置,其特征在于,
所述相同电位为接地电位。
4.根据权利要求1或2所述的受光发光装置,其特征在于,
所述相同电位为正电位。
5.根据权利要求4所述的受光发光装置,其特征在于,
所述受光发光装置还具备电源,该电源的第1电源端子与所述第1阴极电极以及所述电极层连接,第2电源端子被设为接地电位。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的受光发光装置,其特征在于,
在所述基板的一个主面具有位于所述受光元件与所述发光元件之间的沟槽,该沟槽的两端位于由所述受光元件和所述发光元件所夹持的区域的外侧。
7.一种传感器装置,利用了权利要求1至6中任一项所述的受光发光装置,该传感器装置的特征在于,
从所述发光元件向被照射物照射光,根据基于来自所述被照射物的反射光而输出的来自所述受光元件的输出电流,来检测所述被照射物的距离信息以及浓度信息之中的至少一者。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的