[发明专利]用于线性沉积腔室中的气体分布与等离子体应用的方法与设备无效
申请号: | 201280042485.X | 申请日: | 2012-09-06 |
公开(公告)号: | CN103797156A | 公开(公告)日: | 2014-05-14 |
发明(设计)人: | H·P·穆格卡;A·S·波利亚克;M·S·考克斯 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/458;C23C16/50;C23C16/52;C23C16/54;H01J37/32 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 高见 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 线性 沉积 中的 气体 分布 等离子体 应用 方法 设备 | ||
1.一种用于在基板上形成薄膜的设备,包括:
腔室,所述腔室界定内部体积;
等离子体源,所述等离子体源设置于所述内部体积中;以及
至少一个气体注入源,所述至少一个气体注入源设置成邻近于所述内部体积中的所述等离子体源,其中所述至少一个气体注入源包括用于输送气体至所述内部体积的第一通道与第二通道,所述第一通道在第一压力或第一密度下输送气体而所述第二通道在第二压力或第二密度下输送气体,所述第一压力或所述第一密度不同于所述第二压力或所述第二密度。
2.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述等离子体源电耦合至所述至少一个气体注入源。
3.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述至少一个气体注入源包括多个线圈元件,所述多个线圈元件与所述等离子体源通信。
4.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述至少一个气体注入源包括两个气体注入源。
5.如权利要求4所述的设备,其特征在于,所述气体注入源中的每一个电耦合至相应的等离子体源。
6.如权利要求4所述的设备,其特征在于,所述气体注入源中的每一个共享公共等离子体源。
7.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述至少一个气体注入源沿着所述腔室的长度而设置。
8.如权利要求1所述的设备,其特征在于,还包括:
可移动基板支撑组件,所述可移动基板支撑组件沿着所述腔室的纵轴而设置。
9.如权利要求8所述的设备,其特征在于,所述可移动基板支撑组件包括多个可旋转基板支撑件,所述多个可旋转基板支撑件以相对关系设置于所述内部体积中。
10.一种用于在基板上形成薄膜的设备,包括:
腔室,所述腔室界定内部体积;
等离子体源,所述等离子体源设置于所述内部体积中;
可移动基板支撑组件,所述可移动基板支撑组件设置于所述内部体积中;以及
至少一个气体注入源,所述至少一个气体注入源与所述内部体积中的所述等离子体源电气通信,其中所述至少一个气体注入源包括第一通道与第二通道,所述第一通道用于输送气体至所述内部体积的第一部分而所述第二通道用于输送气体至所述内部体积的第二部分,所述第一通道在第一压力或第一密度下输送气体而所述第二通道在第二压力或第二密度下输送气体,所述第一压力或所述第一密度不同于所述第二压力或所述第二密度,其中所述第一部分与所述第二部分实质上分隔开。
11.如权利要求10所述的设备,其特征在于,所述至少一个气体注入源被定位成正交于所述腔室的纵轴。
12.如权利要求11所述的设备,其特征在于,所述至少一个气体注入源包括两个气体注入源。
13.如权利要求12所述的设备,其特征在于,所述气体注入源中的每一个电耦合至相应的等离子体源。
14.如权利要求10所述的设备,其特征在于,所述至少一个气体注入源被定位成沿着所述腔室的纵轴。
15.如权利要求14所述的设备,其特征在于,所述至少一个气体注入源包括横跨所述内部体积的宽度或长度的尺寸。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的