[发明专利]具有使公差被最优化的互连的图像传感器

权利要求书

1.一种成像传感器，包括:

多个基板，所述多个基板包括第一基板和至少一个第二后续支持基板；

像素阵列；

多个互连；以及

支持电路；

其中，所述多个基板的第一基板包括像素阵列；

其中，所述支持电路设置在相对于所述第一基板远距离设置的所述至少一个第二后续支持基板上；

其中，所述支持电路经由在所述第一基板和所述至少一个第二后续支持基板之间设置的多个互连而与所述像素阵列电连接并且电通信；

其中，所述第二后续支持基板被设置为相对于待成像物体而在所述像素阵列的后面；

其中，所述多个互连以大于所述像素阵列的像素间距的距离而相对于彼此隔开；

其中，所述像素阵列包括多个像素列，其中，每个像素列包括多个像素，并且所述支持电路包括多个电路列，每个电路列包括用于支持对应的像素列的电路。

2.根据权利要求1所述的成像传感器，其中，所述成像传感器是背面照明的。

3.根据权利要求1所述的成像传感器，其中，所述多个基板还包括多个第二后续支持基板。

4.根据权利要求1所述的成像传感器，其中，所述像素阵列覆盖所述第一基板的表面的大部分。

5.根据权利要求1所述的成像传感器，其中，所述像素阵列覆盖超过所述第一基板的表面的百分之二十五。

6.根据权利要求1所述的成像传感器，其中，所述像素阵列覆盖超过所述第一基板的表面的百分之四十。

7.根据权利要求1所述的成像传感器，其中，所述像素阵列覆盖超过所述第一基板的表面的百分之七十。

8.根据权利要求1所述的成像传感器，其中，所述像素阵列覆盖超过所述第一基板的表面的百分之九十。

9.根据权利要求1所述的成像传感器，其中，所述支持电路中的一个支持电路是模数转换器。

10.根据权利要求1所述的成像传感器，其中，所述支持电路中的一个支持电路是放大器电路。

11.根据权利要求1所述的成像传感器，其中，所述至少一个第二后续支持基板与所述第一基板以堆叠构造在Z维上对齐。

12.根据权利要求1所述的成像传感器，其中，所述第二后续支持基板设置在所述第一基板后面并且从所述第一基板横向地移位。

13.根据权利要求2所述的成像传感器，其中，所述第一基板主要由硅材料制成。

14.根据权利要求2所述的成像传感器，其中，所述第一基板主要由“高阻抗”半导体材料制成。

15.根据权利要求2所述的成像传感器，其中，所述第一基板主要由碲化镉制成。

16.根据权利要求2所述的成像传感器，其中，所述第一基板由III-V半导体材料制成。

17.根据权利要求2所述的成像传感器，其中，所述第一基板由砷化镓制成。

18.根据权利要求3所述的成像传感器，其中，所述第一基板和所述多个第二后续支持基板对齐地堆叠，以使得在多层堆叠中形成多个通信列。

19.根据权利要求1所述的成像传感器，其中，所述多个互连中的每个互连是凸块，并且包括大于两个像素宽的凸块与凸块距离。

20.根据权利要求19所述的成像传感器，其中，凸块与凸块距离大于四个像素宽。

21.根据权利要求19所述的成像传感器，其中，凸块与凸块距离大于八个像素宽。

22.根据权利要求19所述的成像传感器，其中，凸块间距大于

23.根据权利要求1所述的成像传感器，其中，所述像素阵列包括多个像素列，其中，每个像素列包括多个像素；

其中，在所述像素阵列之内的所述多个像素列中的每个像素列从读取自公共原点的第一列开始被读取给总线，其中，第二列从第一行读取，所述第一行不同于关于该第二列先前读取的像素列并且不同于关于该第二列后续读取的像素列。