[发明专利]横向半导体器件

说明书

相关申请的交叉引用

本申请基于2011年5月13日提交的日本专利申请No.2011-108485以及2012年4月9日提交的日本专利申请No.2012-88455，在这里通过引用将其公开内容并入本文。

技术领域

本公开涉及一种包括电阻性场板的横向半导体器件。

背景技术

例如使用绝缘体上硅（SOI）衬底来形成横向半导体器件。作为横向半导体器件的示例，横向二极管是公知的。在横向二极管的半导体层的表面部分处，形成阴极区和阳极区。阳极区构成阴极区周围的电路。

横向二极管还包括硅（LOCOS）层的局部氧化物和电阻性场板。LOCOS层形成在半导体层的表面上并且布置在阴极区和阳极区之间。电阻性场板形成在LOCOS层的表面上。电阻性场板的端部与阴极区电连接，电阻性场板的另一端部与阳极区电连接。在电阻性场板中，微电流流动。因此，在阴极区和阳极区之间的半导体层的表面上的电势分布相等并且使得半导体层的表面电场能够发生弛豫。

如专利文件1中所述，当在平面中观察时，电阻性场板包括在阴极区和阳极区之间具有螺旋形或同心圆形的电阻性场板部分。

[现有文件]

[专利文件]

[专利文件1]JP-A-2000-22175

发明内容

本公开的目的在于提供一种横向半导体器件，其能够增大电阻性场板部分的布设的自由度。

根据本公开的一方面的横向半导体器件包括半导体层、绝缘层以及电阻性场板。所述半导体层包括第一半导体区和第二半导体区。所述第一半导体区形成在所述半导体层的表面部分中。所述第二半导体区形成在所述半导体层的表面部分中并且构成所述第一半导体区周围的电路。所述绝缘层形成在所述半导体层的表面上并且布置在所述第一半导体区和所述第二半导体区之间。所述电阻性场板形成在所述绝缘层的表面上。所述电阻性场板形成在所述绝缘层的表面上。所述电阻性场板的一个端部与所述第一半导体区电连接，并且所述电阻性场板的另一端部与所述第二半导体区电连接。当在平面中观察时，在所述第一半导体区和第二半导体区之间，第一部分和第二部分沿着所述第一半导体区周围的外周方向彼此相邻。所述电阻性场板包括第一电阻性场板部分和第二电阻性场板部分。所述第一电阻性场板部分形成在所述第一部分中并且沿着所述外周方向重复往返（repeats a round trip）。所述第二电阻性场板部分形成在所述第二部分中并且沿着所述外周方向重复往返。形成在所述第一部分中的所述第一电阻性场板部分和形成在所述第二部分中的所述第二电阻性场板部分彼此分离。根据上述横向半导体器件，不同的布设能够应用至所述第一部分中的所述第一电阻性场板部分以及所述第二部分中的所述第二电阻性场板部分。

附图说明

从下面参考附图给出的具体描述中，本公开的上述和其它目的、特征和优点将变得更显而易见。在附图中：

[图1]图1是示出了根据本公开的实施例的横向二极管的平面图；

[图2]图2是沿着图1的线II-II截取的横向二极管的截面图；

[图3]图3是沿着图1的线III-III截取的横向二极管的截面图；

[图4]图4是示出了横向二极管的拐角部分和线性部分的示意图；

[图5]图5是示出了根据第一变型的横向二极管的示意图；

[图6]图6是示出了根据第二变型的横向二极管的线性部分C和D的边界的示意图；

[图7]图7是示出了根据第三变型的横向二极管的线性部分C和D的边界的示意图；

[图8]图8是示出了形成根据第四变型的横向二极管的中间电阻性场板部分的每个部分的电阻值的概念的示意图；以及

[图9]图9是示出了设置在根据第五变型的横向二极管的每个部分中的中间电阻性场板部分的电阻值的概念的示意图。

具体实施方式

本申请的发明人发现了常规横向半导体器件中的以下几点。当在平面中观察时，阴极区和阳极区之间的区域具有跑道形状。因此，阴极区和阳极区之间的区域沿着外周方向是不一致的并且包括拐角部分、线性部分等等。已知电场通常不倾向于集中在对应于拐角部分的半导体层处。因此，在对应于拐角部分的半导体层中，期望径向方向上的长度长于线性部分。