[发明专利]基于噻吩并噻吩-2,5-二酮低聚物和聚合物的半导体材料

说明书

有机半导体材料可用于电子器件，如有机光伏器件(OPV)、有机场效晶体管(OFET)、有机发光二极管(OLED)和有机电致变色器件(ECD)中。

对有效且长期的性能而言，希望有机半导体材料基器件具有高载流子迁移率以及高稳定性，尤其是在周围环境条件下对空气氧化的高稳定性。

此外，希望有机半导体材料与液体加工技术如旋涂相容(因为就加工性角度而言，液体加工技术是方便的)且因此允许生产低成本的有机半导体材料基电子器件。此外，液体加工技术也与塑料基材相容，且因此允许生产轻质且机械柔性的有机半导体材料基电子器件。

聚合有机半导体材料在电子器件中的用途是本领域所已知的。

Bao，Z.；Dobadalapur，A.；Lovinger，A.J.Appl.Phys.Lett.1996，69，4108-4110描述了区域规整的聚(3-己基噻吩)在场效晶体管中的用途。

Zhang，M.；Tsao，H.N.；Pisula，W.；Yang，C.；Mishra，A.K.；Müllen，K.J.Am.Chem.Soc.2007，129，3472-3473描述了下式聚合物：

其用于有机场效晶体管(OFET)中。

Ong，B.S.；Wu,Y.；Liu，P.；Gardner，S.J.Am.Chem.Soc.2004，126，3378-3379描述了下式聚合物：

其用于有机场效晶体管(OFET)中。

Zou，Y.；Najari，A.；Berrouard，P.；Beaupré，S.；Badrou，R.A.；Tao，Y.；Leclerc，M.J.Am.Chem.Soc.2010，132，5330-5331描述了下式聚合物：

其作为给体材料用于光伏器件中。

McCulloch，I.；Heeney，M.；Bailey，C.；Genevicius，K.；MacDonald，I.；Shkunov，M.；Sparrowe，D.；Tierney，S.；Wagner，R.；Zhang，W.；Chabinyc，M.L.；Kline，R.J.；McGehee，M.D.；Toney，M.F.Nat.Mater.2006，5(4)，328-333描述了下式聚合物：

其用于有机场效晶体管(OFET)中。

L.Bürgi，M.Turbiez，R.Pfeiffer，F.Bienewald，H.-J.Kirner，C.Winnewisser，Adv.Mater.2008，20，2217-2224描述了下式聚合物：

其用于有机场效晶体管(OFET)中。

J.C.Bijleveld，A.P.Zoombelt，S.G.J.Mathijssen，M.M.Wienk，M.Turbiez，D.M.de Leeuw，R.A.J.Janssen，J.Am.Chem.Soc.2009，131，16616-16617描述了下式聚合物：

其用于有机场效晶体管(OFET)和有机光伏器件(OPV)中。

噻吩并噻吩-2,5-二酮单体是本领域所已知的。

JP 04-338761描述了光感受器，其包括其上具有光敏层的导电基材，所述光敏层含有选自二苯并噻喃、二氢菲、噻吩并噻吩和茚并茚衍生物的电荷传输化合物。式III化合物为噻吩并噻吩型电荷传输化合物的实例：

DE 39 17 323 A1描述了下式化合物：

其用作制备包含下式化合物的电荷传输配合物的前体：

E.Günther，S.Hünig，Chem.Ber.1992，125，1235-1241描述了下式化合物及其电化学性质：

本发明的目的是提供新型有机聚合物半导体材料。

该目的由权利要求1的聚合物和权利要求11的电子器件实现。

本发明的有机半导体材料为包含下式单元的聚合物：

其中：

G¹和G²彼此独立地为任选被1-6个取代基R^a取代的C_6-14亚芳基或任选被1-6个取代基R^a取代的二价5-14员芳族杂环基，

其中：