[发明专利]发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管，是在基板上具备包含反射层和活性层的化合物半导体层的发光二极管，其特征在于，

在其上部具有平坦部和台面型结构部，所述台面型结构部具有倾斜侧面和顶面，

所述平坦部和所述台面型结构部各自至少一部分由保护膜、电极膜依次覆盖，

所述台面型结构部是至少包含所述活性层的一部分的结构部，其俯视为矩形，所述台面型结构部的各倾斜侧面，相对于所述基板的定向平面，以向所述台面型结构部的内部倾斜的方式偏斜地形成，所述倾斜侧面通过各向异性的湿式蚀刻形成，并且水平方向的截面积朝向所述顶面连续变小地形成，

所述保护膜至少覆盖所述平坦部的至少一部分、所述台面型结构部的所述倾斜侧面、和所述台面型结构部的所述顶面的周缘区域，并且俯视在所述周缘区域的内侧具有将所述化合物半导体层的表面的一部分露出的通电窗，

所述电极膜是以与从所述通电窗露出的化合物半导体层的表面直接接触，并且至少覆盖形成于所述平坦部上的保护膜的一部分，在所述台面型结构部的顶面上具有光射出孔的方式形成的连续膜。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述反射层为DBR反射层。

3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，在所述活性层的与基板相反侧具有上部DBR反射层。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述反射层包含金属。

5.根据权利要求1～4的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述化合物半导体层具有与所述电极膜接触的接触层。

6.根据权利要求1～4的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述台面型结构部包含所述活性层的全部、和所述反射层的一部分或全部。

7.根据权利要求1～4的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述台面型结构部的高度为3～10μm，俯视的所述倾斜侧面的宽度为0.5～7μm。

8.根据权利要求1～4的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述光射出孔俯视为圆形或椭圆。

9.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，所述光射出孔的孔径为50～150μm。

10.根据权利要求1～4的任一项所述的发光二极管，其特征在于，在所述电极膜的所述平坦部上的部分具有接合线。

11.根据权利要求1～4的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述活性层中所包含的发光层包含多量子阱。

12.根据权利要求1～4的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述活性层中所包含的发光层包含(Al_X1Ga_1－X1)_Y1In_1－Y1P、(Al_X2Ga_1－X2)As、(In_X3Ga_1－X3)As中的任一种，其中，0≤X1≤1，0＜Y1≤1，0≤X2≤1，0≤X3≤1。

13.一种发光二极管的制造方法，其特征在于，具有：

在基板上形成包含反射层和活性层的化合物半导体层的工序；

对所述化合物半导体层进行各向异性的湿式蚀刻，形成水平方向的截面积朝向顶面连续变小地形成的台面型结构部、和配置在该台面型结构部的周围的平坦部的工序；

以在所述台面型结构部的顶面具有将所述化合物半导体层的表面的一部分露出的通电窗的方式，在所述台面型结构部及平坦部上形成保护膜的工序；和

以与从所述通电窗露出的化合物半导体层的表面直接接触，并且至少覆盖形成于所述平坦部上的保护膜的一部分，在所述台面型结构部的顶面上具有光射出孔的方式，形成作为连续膜的电极膜的工序，

所述台面型结构部俯视为矩形，在形成所述台面型结构部的工序中，所述台面型结构部的各倾斜侧面，相对于所述基板的定向平面，以向所述台面型结构部的内部倾斜的方式偏斜地形成。

14.根据权利要求13所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，使用选自磷酸-过氧化氢水混合液、氨-过氧化氢水混合液、溴甲醇混合液、碘化钾-氨中的至少一种以上进行所述湿式蚀刻。