[发明专利]薄膜晶体管器件及其制造方法、有机EL显示元件和有机EL显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管器件及其制造方法、有机EL显示元件和有机EL显示装置。

背景技术

在液晶显示面板、有机EL显示面板中，为了以子像素为单位进行发光控制，采用了按每个子像素形成有薄膜晶体管（TFT（Thin Film Transistor））元件的薄膜晶体管器件（装置）。并且，特别是使用了有机半导体材料来作为半导体层的薄膜晶体管器件的开发得到不断进展。

如图14（a）所示，现有技术涉及的有机TFT器件例如在基板9011上依次层叠形成有栅电极9012a、9012b、绝缘层9013、源电极9014a、9014b、漏电极（省略图示）以及有机半导体层9017a、9017b。有机半导体层9017a、9017b通过在绝缘层9013上涂敷有机半导体墨并使其干燥而形成，形成为将源电极9014a、9014b与漏电极之间填埋并且将它们之上覆盖。

另外，如图14（a）所示，在绝缘层9013上为了对相邻的薄膜晶体管元件的有机半导体层9017a、9017b之间进行区划而设置隔壁9016。在隔壁9016开设有多个开口部9016a～9016c，在开口部9016a的底部露出与漏电极连接的连接布线9015，没有形成有机半导体层。连接布线9015是用于对在该有机TFT器件的上方形成的发光元件的电极进行连接的电极。而且，在隔壁9016的开口部9016b、9016c形成有相互区划开的有机半导体层9017a、9017b。

液晶显示面板、有机EL显示面板中使用的TFT器件，通过向栅电极9012a、9012b输入信号进行发光元件部的发光控制。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2009-76791号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，现有技术涉及的TFT器件存在如下问题：有机半导体层被形成到了不想形成有机半导体层的部分（在图14（a）中为开口部9016a内部），发生与其他元件（例如发光元件部）之间的电连接不良。具体而言，如图14（b）所示，在向开设于隔壁9016的开口部9016a、9016b涂敷（滴下）有机半导体墨90170、90171时，有时有机半导体墨90170、90171会溢出而进入开口部9016a（图14（b）中的箭头F₉₁）。在该情况下，为实现电连接而设置的连接布线9015上会被有机半导体层所覆盖。

尤其在液晶显示面板、有机EL显示面板中，从对精细化的希望到还有将各子像素小型化的希望，随着各子像素的小型化，开口部之间的距离变短，从开口部溢出的墨容易进入到其他的开口部，因此认为容易产生如上所述的问题。

另外，如图14（b）所示，由于向各开口部9016b、9016c的有机半导体墨90170、90171的涂敷形成为从隔壁9016的顶面鼓起，因此有时候还存在有机半导体墨90170与有机半导体墨90171混合的可能性。在该情况下，有机半导体层9017a、9017b的层厚会成为不希望的厚度，另外，在要形成成分互不相同的半导体层的情况下，由于墨的混合，会导致晶体管性能的降低。

尤其在液晶显示面板、有机EL显示面板中，从对精细化的希望到还有将各子像素小型化的希望，随着各子像素的小型化，开口部9016b与开口部9016c之间的距离变短，墨90170和墨90171容易混合，可认为容易产生如上所述的问题。

此外，上述的问题在使用涂敷法形成无机半导体层的情况下也同样存在。

本发明是为了解决上述问题而完成的发明，其目的在于，通过在形成半导体层时抑制向不希望的区域形成半导体层并且抑制相邻的开口部间的墨的混合，提供具有高质量的薄膜晶体管器件及其制造方法、有机EL显示元件和有机EL显示装置。

用于解决问题的手段

于是，本发明的一个技术方案涉及的薄膜晶体管器件具有如下特征。

本发明的一个技术方案涉及的薄膜晶体管器件，具备以相互隔开间隔的状态相邻配置的第1薄膜晶体管元件以及第2薄膜晶体管元件，各薄膜晶体管元件具备栅电极、源电极及漏电极、绝缘层以及半导体层。

源电极和漏电极层叠形成在栅电极的上方，在与层叠方向交叉的方向上相互隔开间隔而排列设置。

绝缘层插置在栅电极与源电极及漏电极之间。

半导体层形成在源电极与漏电极之间的间隙以及源电极和漏电极上，与源电极和漏电极紧密接触。