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[发明专利]电子功能部件和应变传感器-CN202080026578.8在审
发明人：染谷隆夫;宫本明人;王燕;松叶赖重;川岛伊久卫 -专利权人：国立大学法人东京大学
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01B7/06 文献下载
摘要：本发明提供一种耐伸缩性优异的电子功能部件。所述电子功能部件包括：纤维，形成为网状，用于构成纤维网；包覆膜，杨氏模量低于纤维，用于包覆纤维；以及导电膜，形成在包覆膜的表面。
电子功能部件应变传感器

[发明专利]电子功能部件及其制造方法和机体测定传感器-CN202080018710.0在审
发明人：染谷隆夫;宫本明人;王燕;李成薫;永井志步;川岛伊久卫 -专利权人：国立大学法人东京大学
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明提供一种耐磨性优异的电子功能部件。其具备：含有水溶性树脂和难水溶性树脂而构成的纤维网；以及形成在纤维网上的导电部件。这里，水溶性树脂和难水溶性树脂例如为聚乙烯醇衍生物。根据本发明的电子功能部件的实施方式，纤维网由第1纤维网和第2纤维网层叠而成，其中，第1纤维网由含有水溶性第1树脂的纤维构成，第2纤维网由含有难水溶性第2树脂的纤维构成。另外，纤维网可以由含有水溶性第1树脂的纤维和含有难水溶性第2树脂的纤维构成。另外，纤维网也可以由含有水溶性第1树脂和难水溶性第2树脂的纤维构成。
电子功能部件及其制造方法机体测定传感器

[发明专利]薄膜晶体管元件及其制造方法、有机EL显示元件、以及有机EL显示装置-CN201280008788.X有效
发明人：奥本有子;宫本明人;受田高明 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-09-21 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管元件及其制造方法、有机EL显示元件、以及有机EL显示装置。薄膜晶体管元件形成在通过隔壁的围绕而构成的第1开口部内。源电极、漏电极层叠形成在栅电极的上方，在与叠层方向交叉的方向上相互隔开间隔而排列设置。绝缘层插置在栅电极与源电极及漏电极之间。在第1开口部的底部，半导体层形成在源电极与漏电极之间的间隙以及源电极和漏电极之上，与源电极和漏电极紧密接触。在第1开口部底部的绝缘层上，亲液层与源电极、漏电极分别地形成，具有比绝缘层高的亲液性，在俯视第1开口部的底部的情况下，其表面积的中心位置从第1开口部底部的面积的中心位置向一方侧远离。
薄膜晶体管元件及其制造方法有机 el 显示以及显示装置

[发明专利]薄膜晶体管、显示面板以及薄膜晶体管的制造方法-CN201380002146.3无效
发明人：奥本有子;宫本明人 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2013-06-05 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的薄膜晶体管具有：位于基板（1）的上方的栅电极（2a、2b）；与栅电极（2a、2b）对向的栅极绝缘层（3）；隔壁（6），其对内部包含栅极绝缘层（3）的表面的开口部（6a、6b）进行区划，拨液性比栅极绝缘层（3）高；半导体层（8a、8b），其隔着栅极绝缘层（3）与栅电极（2a、2b）对向，通过涂敷法形成在开口部（6a、6b）的内部；与半导体层（8a、8b）电连接的源电极（4a、4b）及漏电极（5a、5b）；和中间层（7a、7b），其由与隔壁（6）的材料相同的材料构成，位于栅极绝缘层（3）和半导体层（8a、8b）之间，中间层离散地存在于所述栅极绝缘层的上方。
薄膜晶体管显示面板以及制造方法

[发明专利]薄膜晶体管元件及其制造方法、有机EL显示元件及其制造方法、以及有机EL显示装置-CN201180070586.3有效
发明人：奥本有子;宫本明人;受田高明 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-06-21 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管元件及其制造方法、有机EL显示元件及其制造方法、以及有机EL显示装置。在TFT基板中，在基板（1011）上形成栅电极（1012a、1012b），其上被绝缘层（1013）覆盖。在绝缘层（1013）上以在Y轴方向上相互隔开间隔的状态形成有源电极（1014a、1014b）、漏电极（1014c、1014d）、连接布线（1015）。连接布线（1015）与漏电极（1012a）连接。在绝缘层（1013）上形成开有开口部（1016a～1016c）的隔壁（1016）以使得电极（1014a～1014d、1015）的各一部分露出。隔壁（1016）的面对开口部（1016b、1016c）的侧面部为斜面，侧面部（1016e、1016f）以与其他侧面部（1016d、1016g、1016h～1016k）相比缓和的倾斜形成。
薄膜晶体管元件及其制造方法有机 el 显示以及显示装置

[发明专利]薄膜晶体管元件及其制造方法、有机EL显示元件和有机EL显示装置-CN201180070581.0有效
发明人：奥本有子;宫本明人;受田高明 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-06-21 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管元件及其制造方法、有机EL显示元件和有机EL显示装置。在TFT基板中，在基板（1011）上形成栅电极（1012a、1012b），其上被绝缘层（1013）覆盖。在绝缘层（1013）上，以在Y轴方向上互相隔开的状态形成有源电极（1014a、1014b）、漏电极（1014c、1014d）以及连接布线（1015）。连接布线（1015）与漏电极（1012c）连接。在绝缘层（1013）上形成有规定开口部（1016a～1016c）的隔壁（1016），以使得电极（1014a～1014d、1015）的各一部分露出。在开口部（1016）的内部，源电极（1014a）和漏电极（1014c）的表面积之和的X轴方向的中心（L3）与开口部（1016b）的底部的中心（L1）相比向X轴方向右侧离开距离x1。拨液性按隔壁（1016）、绝缘层（1013）、电极（1014a、1014c）的顺序由高变低。
薄膜晶体管元件及其制造方法有机 el 显示显示装置

[发明专利]有机薄膜晶体管-CN201280015998.1有效
发明人：受田高明;宫本明人 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-09-05 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种有机薄膜晶体管及其制造方法，包括：在基板（1）上形成栅电极（2）的工序；在栅电极上形成栅极绝缘膜（3）的工序；在栅极绝缘膜上形成源电极（4S）和漏电极（4D）的工序；在源电极和漏电极上形成牺牲层（5）的工序；在牺牲层上形成隔壁层（6R）的工序；通过对隔壁层进行图案形成，使牺牲层的一部分露出而形成开口的工序；通过除去露出的牺牲层，使源电极和漏电极露出的工序；和遍及源电极和漏电极的上表面以及栅极绝缘膜的上表面而形成有机半导体层（7）的工序，从开口露出的源电极和漏电极的表面积为开口面积的50%以上，源电极与漏电极的间隔小于至少一部分位于源电极和漏电极上的有机半导体层的结晶的平均粒径。
有机薄膜晶体管

[发明专利]薄膜晶体管器件及其制造方法、有机EL显示元件和有机EL显示装置-CN201280008791.1有效
发明人：奥本有子;宫本明人;受田高明 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-09-21 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管器件及其制造方法、有机EL显示元件和有机EL显示装置。在通过隔壁的围绕构成的第1开口部和第2开口部内分别形成有薄膜晶体管元件。在此，在俯视第1开口部的底部的情况下，其底部的源电极与漏电极的表面积之和的中心位置与该底部的面积的中心位置相比向与第2开口部相邻的一侧的相反侧远离，另外，在俯视第2开口部的底部的情况下，其底部的源电极与漏电极的表面积之和的中心位置与该底部的面积的中心位置相比向与第1开口部相邻的一侧的相反侧远离。
薄膜晶体管器件及其制造方法有机 el 显示元件显示装置

[发明专利]薄膜晶体管器件及其制造方法、有机EL显示元件和有机EL显示装置-CN201280009472.2有效
发明人：奥本有子;宫本明人;受田高明 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-09-21 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在通过隔壁的围绕而构成的第1开口部和第2开口部内，分别形成有薄膜晶体管元件。在隔壁，在以隔开间隔的状态与第1开口部相邻的一侧、且与第2开口部相邻的一侧的不同侧，设置有第3开口部，在此，在俯视第1开口部的底部的情况下，所述第1开口部内的亲液层的表面积的中心位置，与底部的面积的中心位置相比向与第3开口部相邻的一侧的不同侧远离，另外，在俯视第1开口部的底部和第2开口部的底部的情况下，对于第1开口部和第2开口部的一方，其底部的亲液层的表面积的中心位置与所述一方的开口部底部的面积的中心位置相比向与另一方的开口部相邻的一侧的不同侧远离。
薄膜晶体管器件及其制造方法有机 el 显示元件显示装置

[发明专利]薄膜晶体管器件及其制造方法、有机EL显示元件和有机EL显示装置-CN201280009476.0有效
发明人：奥本有子;宫本明人;受田高明 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-09-21 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在通过隔壁的围绕而构成的第1开口部和第2开口部内，分别形成有薄膜晶体管元件。在隔壁，在以隔开间隔的状态与第1开口部相邻的一侧、且与所述第2开口部相邻的一侧的不同侧，设置有第3开口部，在此，在俯视第1开口部的底部的情况下，在所述第1开口部内露出的源电极和漏电极的表面积之和的中心位置，与第1开口部底部的面积的中心位置相比，向与第3开口部相邻的一侧的不同侧远离，在俯视第1开口部的底部和第2开口部的底部的情况下，对于第1开口部和第2开口部的一方，在其底部露出的源电极和漏电极的表面积之和的中心位置，与所述一方的开口部底部的面积的中心位置相比，向与另一方的开口部相邻的一侧的不同侧远离。
薄膜晶体管器件及其制造方法有机 el 显示元件显示装置

[发明专利]薄膜晶体管器件及其制造方法、有机EL显示元件和有机EL显示装置-CN201280008787.5有效
发明人：奥本有子;宫本明人;受田高明 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-09-21 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管器件及其制造方法、有机EL显示元件和有机EL显示装置。在通过隔壁的围绕构成的第1开口部和第2开口部内分别形成有薄膜晶体管元件。在此，在俯视第1开口部的底部的情况下，其底部的亲液层的表面积的中心位置与该底部的面积的中心位置相比向与第2开口部相邻的一侧的相反侧远离，另外，在俯视第2开口部的底部的情况下，其底部的亲液层的表面积的中心位置与该底部的面积的中心位置相比向与第1开口部相邻的一侧的相反侧远离。
薄膜晶体管器件及其制造方法有机 el 显示元件显示装置

[发明专利]显示面板的制造方法以及显示面板-CN201180037873.4有效
发明人：七井识成;宫本明人;受田高明 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-11-16 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： H05B33/10 文献下载
摘要：显示面板的制造方法包括：在第1层上形成构成第2层的感光性材料的层的子工序；在感光性材料的层上配置光掩模的子工序，所述光掩模的光透射性在俯视与预定形成第2开口部的部位重叠的第1区域和其以外的第2区域不同；以及经由光掩模对构成第2层的感光性材料的层进行曝光的子工序；俯视下光掩模的第1区域的面积比第1层的第1开口部的面积大。
显示面板制造方法以及

[发明专利]半导体晶体管的制造方法、使用了由该方法制造的半导体晶体管的驱动电路、包括该驱动电路和显示元件的像素电路、该像素电路配置成行列状的显示面板、以及具有该显示面板的显示装置-CN201080020803.3有效
发明人：奥本有子;宫本明人 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-12-24 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体晶体管的制造方法，包括：第1工序，在包括基板的基底层上形成含有抗蚀剂材料的抗蚀剂层(4)；第2工序，对抗蚀剂层(4)进行局部图案形成，在抗蚀剂层(4)形成多个开口；第3工序，在抗蚀剂层(4)上及抗蚀剂层(4)的多个开口的内部形成含有构成源电极及漏电极的金属材料的金属层(5)；第4工序，对由于金属层(5)的表面部分被氧化而形成的金属氧化物层(6)，使用清洗液进行清洗处理由此将其除去；第5工序，在第4工序之后，使用与所述清洗液不同的溶解液除去抗蚀剂层(4)，由此形成由在抗蚀剂层(4)的多个开口形成的金属层构成的源电极(7)及漏电极(8)；和第6工序，覆盖源电极(7)及漏电极(8)地形成半导体层(9)。
半导体晶体管制造方法使用驱动电路包括显示元件像素配置成行面板以及具有

[发明专利]纵型有机FET及其制造方法-CN200480023853.1无效
发明人： 宫本明人 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-08-23 - 公布日： 2006-09-27 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明提供一种抑制由有机半导体构成的活性层的分子取向、提高载流子迁移率的纵型有机FET。本发明涉及基板上至少设有源极层、漏极层、栅电极和活性层，具有源极层、活性层和漏极层依次叠层的结构的纵型有机FET，其特征在于：(1)上述源极层和漏极层实质上与基板表面平行地配置；(2)上述源极层和漏极层由导电性部件构成；(3)上述活性层实质上由以4价或6价的元素作为中心原子、并且分子面的上下方向分别配位有配位基X₁和X₂的酞菁类化合物构成；(4)上述化合物以上述化合物的各分子的分子面与源极层和漏极层中的至少一方成为平行状态的方式叠层。
有机 fet 及其制造方法

[发明专利]非易失性存储器及其制造方法-CN200480000648.3无效
发明人：森田清之;山田升;宫本明人;大塚隆;田中英行 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-05-07 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：一种非易失性存储器，包括：第一基板(100)和第二基板(110)，所述第一基板(100)具有多个排列成矩阵的开关元件(4)和多个连接在所述开关元件(4)的第一电极(18)，所述第二基板(110)具有导电膜(32)，和通过提供电脉冲改变阻值的记录层(34)，其中，所述多个第一电极(18)被所述记录层(34)完整地覆盖，该记录层(34)由此位于所述多个第一电极(18)和所述导电膜(32)之间；所述第一基板(100)还包括第二电极(22)，和所述第二电极(22)与所述导电膜(32)电联接，当给所述记录层(34)施加电流时，所述第二电极(22)的电压保持在一定的水平上。该非易失性存储器以低成本获得高集成度。
非易失性存储器及其制造方法

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