[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 201280007251.1 | 申请日: | 2012-04-20 |
公开(公告)号: | CN103380483B | 公开(公告)日: | 2016-11-02 |
发明(设计)人: | 铃木智也;西川仁 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H05B33/10;H05B33/14 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 董惠石 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,其具备:
多个处理部,对形成为带状的基板分别进行处理;
第一处理室,收容前述多个处理部中能执行共通次程序的第一处理部;
第二处理室,收容前述多个处理部中的第二处理部;以及
搬送部,将前述基板分别搬送至前述第一处理室及前述第二处理室。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其中,前述共通次程序包含加热处理步骤、曝光处理步骤及湿式处理步骤中的至少一个。
3.如权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,前述共通次程序包含加热处理步骤;
前述第一处理部具有:
搬入口,搬入被搬送的前述基板;
筐体,具有收容从前述搬入口搬入的前述基板的收容室与搬出前述基板的搬出口;以及
加热部,加热收容于前述收容室的前述基板。
4.如权利要求3所述的基板处理装置,其中,前述第一处理部具有多个前述筐体;
前述加热部对多个前述筐体共通地设置。
5.如权利要求3或4所述的基板处理装置,其中,前述第一处理部具有调整机构,该调整机构就前述筐体的各个调整前述收容室中的前述基板的搬送速度及搬送路径中的至少一方。
6.如权利要求3至5中任一项所述的基板处理装置,其中,前述第一处理部具有在前述收容室内将前述基板翻折多次的翻折部。
7.如权利要求6所述的基板处理装置,其中,前述加热部具有对前述基板照射电磁波的照射部。
8.如权利要求1至7中任一项所述的基板处理装置,其进一步具备连接前述第一处理室与前述第二处理室的连接部;
前述搬送部具有导引前述基板使前述基板通过前述连接部的导引部。
9.如权利要求8所述的基板处理装置,其中,前述导引部具有调整前述基板的温度的基板调温部。
10.如权利要求1至9中任一项所述的基板处理装置,其中,前述第一处理室及前述第二处理室于重力方向排列配置。
11.如权利要求10所述的基板处理装置,其进一步具备收容能执行湿式处理步骤的多个第三处理部的第三处理室;
前述第三处理室,设有在前述重力方向配置于前述第一处理室及前述第二处理室下方且回收在前述湿式处理步骤产生的废弃物的回收部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造