[发明专利]高压集成电路设备

权利要求书

1.一种高压集成电路设备，包括：

第一导电类型的半导体基板；

第二导电类型的低侧电路部，所述第二导电类型的低侧电路部设置在所述半导体基板上，并且连接到将GND电位作为基准的低压电源；

第二导电类型的高侧电路部，所述第二导电类型的高侧电路部设置在所述半导体基板上距所述低侧电路部一距离的位置，并且连接到将高于所述GND电位的中间电位作为基准的低压电源；

第一导电类型区域，所述第一导电类型区域电连接到所述GND电位，包围所述高侧电路部设置，并且与所述低侧电路部的外周部一起形成高压结端接区；

第一拾取电极，所述第一拾取电极设置在所述第一导电类型区域中；

第二拾取电极，所述第二拾取电极连接到将所述中间电位作为基准的所述低压电源的高电位侧，并且设置在所述高压结端接区内部以及所述高侧电路部的外周部中；

第一导电类型的第一高浓度接触区，所述第一导电类型的第一高浓度接触区与所述第一拾取电极欧姆接触；以及

第二导电类型的第二高浓度接触区，所述第二导电类型的第二高浓度接触区与所述第二拾取电极欧姆接触，

其中所述第一高浓度接触区和所述第二高浓度接触区中的至少一个区域是通用接触区，其中p区和n区沿着所述半导体基板的表面设置成相互交替接触。

2.一种高压集成电路设备，包括：

第一导电类型的半导体基板；

第二导电类型的第一半导体区，所述第二导电类型的第一半导体区包括设置在所述半导体基板上的低侧电路部；

所述第二导电类型的第二半导体区，所述第二导电类型的第二半导体区包括设置在所述半导体基板上距所述第一半导体区一距离的位置的高侧电路部；

第一CMOS电路，所述第一COMS电路由具有设置在所述第一半导体区的表面层中的所述第一导电类型的源区和所述第一导电类型的漏区的第一MOSFET、设置在所述第一半导体区的表面层中距所述第一MOSFET一距离的第三半导体区、以及具有设置在所述第三半导体区的表面层中的所述第二导电类型的源区和所述第二导电类型的漏区的第二MOSFET构成；

第二CMOS电路，所述第二COMS电路由具有设置在所述第二半导体区的表面层中的所述第一导电类型的源区和所述第一导电类型的漏区的第三MOSFET、设置在所述第二半导体区的表面层中距所述第三MOSFET一距离的第四半导体区、以及具有设置在所述第四半导体区的表面层中的所述第二导电类型的源区和所述第二导电类型的漏区的第四MOSFET构成；

所述第一导电类型的第五半导体区，所述第一导电类型的第五半导体区设置在所述半导体基板的表面层中以包围所述第二半导体区，并且具有高于所述半导体基板的杂质浓度；

所述第一导电类型的第一接触区，所述第一导电类型的第一接触区设置在所述第五半导体区的表面层中，并且具有高于所述第五半导体区的杂质浓度；

高压结端接区，所述高压结端接区由所述第二半导体区的外周部和所述第五半导体区构成；

所述第二导电类型的第二接触区，所述第二导电类型的第二接触区设置在所述第二半导体区的表面层中以及所述高压结端接区内部，并且具有高于所述第二半导体区的杂质浓度；

所述第二导电类型的第三接触区，所述第二导电类型的第三接触区设置在所述第一半导体区的表面层中，并且与所述第一MOSFET的源区接触；

所述第一导电类型的第四接触区，所述第一导电类型的第四接触区设置在所述第三半导体区的表面层中，并且与所述第二MOSFET的源区接触；

所述第二导电类型的第五接触区，所述第二导电类型的第五接触区设置在所述第二半导体区的表面层中，并且与所述第三MOSFET的源区接触；

所述第一导电类型的第六接触区，所述第一导电类型的第六接触区设置在所述第四半导体区的表面层中，并且与所述第四MOSFET的源区接触；

第一拾取电极，所述第一拾取电极设置在所述第一接触区上，并且与所述第一接触区欧姆接触；

第二拾取电极，所述第二拾取电极设置在所述第二接触区上，并且与所述第二接触区欧姆接触；

第一源电极，所述第一源电极被设置成与所述第一MOSFET的源区和所述第三接触区接触；

第一漏电极，所述第一漏电极被设置成与所述第一MOSFET的漏区接触；

第二源电极，所述第二源电极被设置成与所述第二MOSFET的源区和所述第四接触区接触；

第二漏电极，所述第二漏电极被设置成与所述第二MOSFET的漏区接触；

第三源电极，所述第三源电极被设置成与所述第三MOSFET的源区和所述第五接触区接触；

第三漏电极，所述第三漏电极被设置成与所述第三MOSFET的漏区接触；

第四源电极，所述第四源电极被设置成与所述第四MOSFET的源区和所述第六接触区接触；

第四漏电极，所述第四漏电极被设置成与所述第四MOSFET的漏区接触；

GND端子，所述GND端子连接到所述第二源电极和所述第一拾取电极；以及

高电位侧端子，所述高电位侧端子连接到所述第三源电极和所述第二拾取电极，

其中所述第一接触区和所述第二接触区中的至少一个区域是通用接触区，其中p区和n区沿着所述半导体基板的表面设置成相互交替接触。