[发明专利]热处理装置有效
| 申请号: | 201280001147.1 | 申请日: | 2012-02-01 |
| 公开(公告)号: | CN102859657A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
| 发明(设计)人: | 米永富广;河野有美子;内田直喜;尾崎一博 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社;三井造船株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/22 | 分类号: | H01L21/22;C23C16/46;H01L21/205;H01L21/31;H01L21/324 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 热处理 装置 | ||
1.一种热处理装置,其特征在于,包括:
处理室,其对配置于能够减压的处理室内的多个基板实施热处理;
加热座,其为具有载置所述基板的载置面的导电部件,被分为周缘部和由该周缘部包围的内侧部,所述内侧部包括厚板状发热体,所述周缘部将比内侧部薄的薄板状发热体以互相电绝缘的状态层叠形成;
旋转自由的加热座支承部,其在所述处理室内将所述加热座在垂直于该载置面的方向上隔开间隔排列多个并进行支承;
磁场形成部,其包括卷绕有感应线圈且以磁极面与所述加热座的侧面相对的方式配置的电磁铁,在平行于所述加热座的载置面的方向上形成交流磁场来对所述加热座进行感应加热;
高频电流电路,其能够对所述感应线圈施加不同的两个频率的高频电流;和
控制部,其利用由从所述高频电流电路施加于所述感应线圈的所述两个频率的高频电流,对产生于各个所述薄板状发热体的感应电流进行控制,从而控制至所述内侧部的磁通量的透射,由此来改变所述加热座的所述周缘部的发热量与所述内侧部的发热量的比例,进行温度控制。
2.如权利要求1所述的热处理装置,其特征在于:
所述控制部,将从所述高频电流电路输出的低的频率的高频电流和高的频率的高频电流进行重叠或按时序进行切换来进行所述温度控制。
3.如权利要求2所述的热处理装置,其特征在于:
构成各个所述加热座的周缘部的所述薄板状发热体的厚度设置为:比从所述低的频率计算出的感应电流的进入深度小,比从所述高的频率计算出的感应电流的进入深度的两倍大。
4.如权利要求3所述的热处理装置,其特征在于:
构成各个所述加热座的内侧部的所述厚板状发热体的厚度设置为:至少比从所述低的频率计算出的感应电流的进入深度的两倍大。
5.如权利要求1~4中的任一项所述的热处理装置,其特征在于:
所述磁场形成部沿着所述加热座和所述基板的排列方向配置排列多层。
6.如权利要求5所述的热处理装置,其特征在于:
所述控制部独立地控制各所述磁场形成部的交流电源。
7.如权利要求1~6中的任一项所述的热处理装置,其特征在于:
所述加热座由石墨形成,所述处理室的侧壁由铝合金形成。
8.如权利要求1~7中的任一项所述的热处理装置,其特征在于,包括:
将处理气体供给至所述处理室内的气体供给部;和
对所述处理室内进行真空排气的排气机构,
所述处理室,进行对所述基板的热处理或进行在所述基板上形成薄膜的成膜处理。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社;三井造船株式会社,未经东京毅力科创株式会社;三井造船株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280001147.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种应用ISR机制的处理方法及用户设备
- 下一篇:气体传感器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





