[实用新型]反应腔室

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路设备技术领域，特别涉及一种反应腔室。

背景技术

金属有机化学气相沉积（MOCVD）是在气相外延生长（VPE）的基础上发展起来的一种化学气相沉积工艺。它以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长的反应气体，以热分解反应方式在蓝宝石衬底或其他衬底上进行外延沉积工艺，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的外延材料层。

请参考图1，其为现有技术的MOCVD设备的反应腔室的结构示意图。如图1所示，反应腔室1包括腔体10；设置于所述腔体10内的托盘11，所述托盘11用以承载待处理的半导体晶片或介质基片；驱动所述托盘11转动的旋转结构14，所述旋转结构14通过筒状侧壁16与所述托盘11连接，并且所述旋转结构14、托盘11及筒状侧壁16形成了一容置空间；加热器12，所述加热器12置于所述容置空间内，并且所述加热器12通过支撑结构13保持稳定。

然而，现有技术的反应腔室中，所述旋转结构通常在没有达到其设计时的使用寿命之前就已经损坏，从而大大增加了设备维护投入。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种反应腔室，以解决现有反应腔室中的旋转结构极易损坏的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种反应腔室，所述反应腔室包括：腔体；设置于所述腔体内的托盘；设置于所述腔体内的旋转结构，所述旋转结构通过筒状侧壁与所述托盘连接，所述旋转结构、托盘及筒状侧壁形成了一容置空间；设置于所述容置空间内用于加热所述托盘的加热器；及设置于所述容置空间内的隔热结构，所述隔热结构设置于所述加热器和旋转结构之间。

可选的，在所述的反应腔室中，所述隔热结构为一隔热板，在所述加热器和旋转结构中，所述隔热板更靠近所述加热器。

可选的，在所述的反应腔室中，所述隔热板与所述筒状侧壁之间具有一间隙，所述间隙的宽度为0.1mm~10mm。

可选的，在所述的反应腔室中，所述筒状侧壁上设置有排气孔，且所述排气孔位于所述隔热板和加热器之间区域的所述筒状侧壁，所述排气孔的直径为0.1mm~1mm。

可选的，在所述的反应腔室中，所述隔热板面向所述加热器的表面为一反射面，所述反射面反射所述加热器发出的热辐射。

可选的，在所述的反应腔室中，所述隔热板包括本体和嵌于本体的冷却管路或冷却腔，所述冷却管路或冷却腔中通有冷却液体或气体。

可选的，在所述的反应腔室中，构成所述隔热板的材料为耐热材料。

可选的，在所述的反应腔室中，所述隔热板的厚度为1mm~5mm。

可选的，在所述的反应腔室中，还包括一支撑柱，所述支撑柱穿过所述旋转结构连接所述加热器和所述隔热板，所述支撑柱支撑所述加热器和所述隔热板。

可选的，在所述的反应腔室中，所述支撑柱上设置有冷却液体或冷却气体传输管道，所述冷却液体或冷却气体传输管道与所述隔热板的冷却管道或冷却腔相连。

本申请发明人经过研究之后发现：现有反应腔室中的旋转结构在没有达到其设计时的使用寿命之前就已经损坏的原因在于，加热器与旋转结构之间存在明显的热交换，而这种热交换导致了旋转结构的温度超出了其安全工作的温度，由此导致了现有反应腔室中的旋转结构在没有达到其设计时的使用寿命之前就已经损坏。在本申请提供的反应腔室中设置有隔热结构，所述隔热结构至少减少加热器与旋转结构之间的热交换，由此，能够缓解所述加热器产生的热量对于所述旋转结构的温度的影响，从而降低所述旋转结构的损耗，提高所述旋转结构的使用寿命。

附图说明

图1是现有技术的MOCVD设备的反应腔室的结构示意图；

图2是本实用新型实施例的反应腔室的结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出的反应腔室作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。

现有技术的反应腔室中，旋转结构通常在没有达到其设计时的使用寿命之前就已经损坏，从而大大增加了设备的维护投入。而对于这一问题，本领域技术人员一直未曾找出其根本原因。也就是说，现有的反应腔室中旋转结构极易损坏的问题长期困扰着本领域技术人员，并且这一问题的存在，直接导致了大量设备成本的投入。