[实用新型]一种CMOS电路结构、OLED及显示装置

权利要求书

1.一种CMOS电路结构，具有PMOS区域和NMOS区域，其特征在于，包括：依次位于衬底基板之上的PMOS半导体层和NMOS半导体层、栅绝缘层、PMOS栅极和NMOS栅极、层间介质层、以及PMOS源漏极和NMOS源漏极，其中，

所述PMOS半导体层、PMOS栅极和PMOS源漏极位于PMOS区域内；所述PMOS半导体层由P型掺杂多晶硅材料制成；

所述NMOS半导体层、NMOS栅极和NMOS源漏极位于NMOS区域内；所述NMOS半导体层由氧化物材料制成。

2.如权利要求1所述的CMOS电路结构，其特征在于，所述氧化物材料为铟镓氧化锌IGZO、氧化锌ZnO、氧化铟锌IZO、铟锡氧化锌ITZO。

3.如权利要求1所述的CMOS电路结构，其特征在于，还包括：位于所述衬底基板与所述PMOS半导体层和NMOS半导体层之间的缓冲层。

4.如权利要求1所述的CMOS电路结构，其特征在于，所述PMOS源漏极通过过孔与所述PMOS半导体层连接；所述NMOS源漏极通过过孔与所述NMOS半导体层连接。

5.如权利要求1-4任一项所述的CMOS电路结构，其特征在于，还包括：依次位于所述PMOS源漏极和NMOS源漏极之上的平坦层、以及作为阳极的像素层，所述像素层通过过孔与所述PMOS源漏极的源极或漏极电性相连。

6.如权利要求5所述的CMOS电路结构，其特征在于，还包括：位于所述像素层之上的像素限定层。

7.一种OLED，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的CMOS电路结构。

8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的CMOS电路结构。