[实用新型]阵列基板、有机发光二极管显示装置有效
申请号: | 201220686669.7 | 申请日: | 2012-12-12 |
公开(公告)号: | CN203218266U | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | 宋泳锡;刘圣烈;崔承镇;金熙哲 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 罗建民;邓伯英 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 有机 发光二极管 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括多个位于基板上的像素单元,其特征在于,所述像素单元包括:
薄膜晶体管驱动层;
比所述薄膜晶体管驱动层更远离基板并受薄膜晶体管驱动层驱动的有机发光二极管,在远离基板的方向上有机发光二极管依次包括第一电极、发光层、透明的第二电极;其中,第一电极为反射层,或第一电极透明且其下方有反射层;
比所述有机发光二极管更远离基板的半反半透层,其与所述反射层构成微腔结构;
位于所述有机发光二极管与半反半透层间、且处于微腔结构中的彩膜。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述发光层为用于发出白光的发光层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述用于发出白光的发光层包括:
交叠的发红光的有机电致发光材料层、发绿光的有机电致发光材料层、发蓝光的有机电致发光材料层。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的阵列基板,其特征在于,
所述反射层的反射面上具有用于使光产生漫反射的凹凸结构或波浪结构。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,还包括:
设于所述反射层与薄膜晶体管驱动层间的树脂层,所述树脂层与反射层相接触的面上具有凹凸结构或波浪结构。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,
所述树脂层中设有过孔,所述第一电极通过所述过孔与薄膜晶体管驱动层电连接,所述过孔处设有位于第一电极与发光层之间的绝缘的像素限定层。
7.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,
所述树脂层的厚度在1000~之间。
8.根据权利要求1至3中任意一项所述的阵列基板,其特征在于,
所述薄膜晶体管驱动层包括扫描线、数据线、电源电压线、多组薄膜晶体管,每组薄膜晶体管用于驱动一个像素单元中的有机发光二极管;
其中,每组薄膜晶体管包括一个开关薄膜晶体管和一个驱动薄膜晶体管,所述开关薄膜晶体管的栅极连接扫描线,源极连接数据线,漏极连接驱动薄膜晶体管的栅极;驱动薄膜晶体管的源极连接电源电压线,漏极连接有机发光二极管的第一电极。
9.根据权利要求1至3中任意一项所述的阵列基板,其特征在于,
所述反射层由银、铝、钼、铜、钛、铬中的任意一种金属或它们中任意两种或以上的合金构成,且反射率在80~100%之间,厚度在100~之间。
10.根据权利要求1至3中任意一项所述的阵列基板,其特征在于,
所述半反半透层由银、铝、钼、铜、钛、铬中的任意一种金属或它们中任意两种或以上的合金构成,且透过率在5~95%之间,厚度在10~之间。
11.根据权利要求1至3中任意一项所述的阵列基板,其特征在于,
所述彩膜中设有过孔,所述第二电极与半反半透层通过所述过孔电连接,所述半反半透层由导电材料构成,且所述过孔处设有位于第一电极与发光层之间的绝缘的像素限定层。
12.根据权利要求1至3中任意一项所述的阵列基板,其特征在于,
所述彩膜厚度在5000~之间。
13.根据权利要求1至3中任意一项所述的阵列基板,其特征在于,所述彩膜包括:
红色彩膜、绿色彩膜、蓝色彩膜;
或
红色彩膜、绿色彩膜、蓝色彩膜、白色彩膜;
或
红色彩膜、绿色彩膜、蓝色彩膜、黄色彩膜。
14.根据权利要求1至3中任意一项所述的阵列基板,
所述透明的第二电极由氧化铟锡、氧化铟锌、聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)、碳纳米管中的任意一种构成。
15.根据权利要求1至3中任意一项所述的阵列基板,其特征在于,
所述第一电极为有机发光二极管的阴极,所述第二电极为有机发光二极管的阳极;
或
所述第一电极为有机发光二极管的阳极,所述第二电极为有机发光二极管的阴极。
16.一种有机发光二极管显示装置,其特征在于,包括:
权利要求1至15中任意一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的