[实用新型]一种生产多晶硅的还原炉有效
申请号: | 201220637109.2 | 申请日: | 2012-11-04 |
公开(公告)号: | CN202864932U | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 张海锋 | 申请(专利权)人: | 张海锋 |
主分类号: | C01B33/03 | 分类号: | C01B33/03;C01B33/035 |
代理公司: | 乌海市知新专利事务所 15104 | 代理人: | 靳红霞 |
地址: | 016064 内蒙古自治区鄂尔多*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 生产 多晶 还原 | ||
1.一种生产多晶硅的还原炉,炉体包括炉筒、底盘,底盘上具有电极,其特征在于:所述炉筒内壁上固定有阻辐射抗力冲击屏,所述的屏与炉筒内壁间具有间隙。
2.如权利要求1所述的生产多晶硅的还原炉,其特征在于:所述底盘上固定有阻辐射抗力冲击屏,所述的屏与所述底盘间具有间隙。
3.如权利要求1或2所述的生产多晶硅的还原炉,其特征在于:所述的屏分块固定在炉筒内壁或底盘上。
4.如权利要求3所述的生产多晶硅的还原炉,其特征在于:所述的炉筒设有氢气注入孔。
5.如权利要求4所述的生产多晶硅的还原炉,其特征在于:所述的氢气注入孔设在炉筒的下部。
6.如权利要求3所述的生产多晶硅的还原炉,其特征在于:所述的屏材质为氮化硅或碳化硅。
7.如权利要求3所述的生产多晶硅的还原炉,其特征在于:所述的屏通过螺栓固定在炉筒内壁或底盘上。
8.如权利要求7所述的生产多晶硅的还原炉,其特征在于:所述螺栓材质为钼。
9.如权利要求7所述的生产多晶硅的还原炉,其特征在于:所述螺栓外端面相对于阻辐射抗力冲击屏的表面呈嵌入式。
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