[实用新型]一种生产多晶硅的还原炉有效

专利信息
申请号: 201220637109.2 申请日: 2012-11-04
公开(公告)号: CN202864932U 公开(公告)日: 2013-04-10
发明(设计)人: 张海锋 申请(专利权)人: 张海锋
主分类号: C01B33/03 分类号: C01B33/03;C01B33/035
代理公司: 乌海市知新专利事务所 15104 代理人: 靳红霞
地址: 016064 内蒙古自治区鄂尔多*** 国省代码: 内蒙古;15
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摘要:
搜索关键词: 一种 生产 多晶 还原
【权利要求书】:

1.一种生产多晶硅的还原炉,炉体包括炉筒、底盘,底盘上具有电极,其特征在于:所述炉筒内壁上固定有阻辐射抗力冲击屏,所述的屏与炉筒内壁间具有间隙。

2.如权利要求1所述的生产多晶硅的还原炉,其特征在于:所述底盘上固定有阻辐射抗力冲击屏,所述的屏与所述底盘间具有间隙。

3.如权利要求1或2所述的生产多晶硅的还原炉,其特征在于:所述的屏分块固定在炉筒内壁或底盘上。

4.如权利要求3所述的生产多晶硅的还原炉,其特征在于:所述的炉筒设有氢气注入孔。

5.如权利要求4所述的生产多晶硅的还原炉,其特征在于:所述的氢气注入孔设在炉筒的下部。

6.如权利要求3所述的生产多晶硅的还原炉,其特征在于:所述的屏材质为氮化硅或碳化硅。

7.如权利要求3所述的生产多晶硅的还原炉,其特征在于:所述的屏通过螺栓固定在炉筒内壁或底盘上。

8.如权利要求7所述的生产多晶硅的还原炉,其特征在于:所述螺栓材质为钼。

9.如权利要求7所述的生产多晶硅的还原炉,其特征在于:所述螺栓外端面相对于阻辐射抗力冲击屏的表面呈嵌入式。

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