[实用新型]一种半导体微波炉

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体微波技术领域，特别涉及一种半导体微波炉。

背景技术

目前的普通磁控管微波炉如图1所示，其包括磁控管1’、微波炉腔体2’、控制系统3’和电源4’。而普通的磁控管微波炉的主要元器件包括磁控管、高压变压器、高压电容、高压二极管、矩形波导、腔体、炉门和控制部分等。交流电源经高压变压器为磁控管提供灯丝电压。交流电源经高压变压器、高压电容和高压二极管升压后，变成直流脉动高压，磁控管才能发出微波。微波经矩形波导进入微波炉的腔体后，与腔体内的被加热物质发生作用，实现微波快速加热。

普通的磁控管微波炉存在成本高、体积大、重量大以及电压高、磁控管材料标准要求高、制造难度大等缺点，限制了微波炉的进一步提升。

随着半导体的微波技术不断发展，目前半导体的微波效率越来越高、成本越来越低、重量越来越轻、单位体积的功率密度越来越大，其在微波炉上的应用是半导体微波技术发展的必然趋势。

然而，目前半导体微波炉研究的微波功率源，都是采用源、放大原理，其在实际的应用中存在成本高、系统较复杂，尤其是源部分需要使用专用模块，自主设计开发困难等缺点，并且放大部分是采用两级放大，即初次小信号放大和二次放大。

如图2和图3所示，现有半导体微波炉包括半导体功率源10、微波炉腔体20、控制系统30和电源40。电源40为半导体功率源10供电，半导体功率源10发出2400MHz~2500MHz微波馈入到微波炉腔体20内，加热微波炉腔体20内的食物。如图3所示，普通的半导体功率源包括电源40、信号源13、一级放大器11和二级放大器12，其中，信号源13产生2400MHz~2500MHz微波信号，输出到一级放大器11。2400MHz~2500MHz微波信号经一级放大器11后，放大为小功率微波信号，再输入到二级放大器12，得到大功率微波输出。其中，微波输出功率大小、品质取决于一、二级放大器的性能，频率大小取决于信号源13发出频率的高低。源、放大原理的半导体微波源更适合通信行业对微波信号的要求，而对于用于加热的2400MHz~2500MHz微波信号，则微波线性度等都不做非常高的要求。

此外，半导体微波炉不再使用磁控管、高压变压器、高压电容、高压二极管，其供电方式、电压等级与普通磁控管微波炉有着很大的差距。如图4所示，普通磁控管微波炉的供电部分包括市电AC（交流）11’输入、高压变压器12’、高压电容13’、高压二极管14’、磁控管1’。其中市电AC11’输入经高压变压器12’，输出3.3V灯丝电压和约2000V高压。2000V高压经过高压电容13’、高压二极管14’倍压整流后，变成约4000V负高压，供给磁控管1’。

综上所述，磁控管微波炉存在成本高、体积大、重量大和电压高等缺点，并且磁控管微波炉采用高压供电方式，功率损耗大且存在安全隐患，而现有的半导体微波炉存在成本高、系统较复杂、自主设计开发困难等缺点。

实用新型内容

本实用新型的目的旨在至少解决上述的技术缺陷之一。

为此，本实用新型的目的在于提出一种半导体微波炉，其结构简单合理、制作成本低、可靠性好，并且高效节能，使用安全。

为达到上述目的，本实用新型提出的半导体微波炉，包括：半导体功率源，所述半导体功率源包括多个LDMOS管，所述多个LDMOS管根据自振荡电路产生预设频率的微波；控制模块，所述控制模块与所述半导体功率源相连，所述控制模块输出控制信号控制所述多个LDMOS管以调整所述半导体功率源的工作频率；供电电源，所述供电电源与所述半导体功率源和所述控制模块相连，所述供电电源输出直流电压以给所述半导体功率源和所述控制模块供电。

根据本实用新型提出的半导体微波炉，对半导体功率源的微波发生结构进行了简化，降低了成本，提升了可靠性能，具有结构简单合理、制作成本低、可靠性好等优点。另外，该半导体微波炉不再采用高压供电方式，减少了功率损耗，节能高效，使用安全。

其中，所述控制模块还输出电压调节信号调节所述供电电源输出的直流电压以控制所述半导体功率源的输出功率，实现半导体微波炉功率无级可调。