[实用新型]遮挡盘及离子注入装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及遮挡盘及离子注入装置。

背景技术

在半导体生产形成源漏极的工艺中，为了对硅或硅薄膜进行含有杂质的离子注入，使用离子注入装置对晶圆注入的离子种有磷（P）和硼（B）等，将包含这些原料的气体对离子源进行供给，然后气体被等离子化，将P和B离子从等离子体中引出形成离子束，并加速，从而对晶圆进行照射注入离子。离子注入时离子束的角度和离子扩散的范围对于半导体器件工艺的良率有至关重要的影响。离子束的注入角度不同将导致一个区域不同器件之间的门极电压有差异，引起区域晶粒之间性能的起伏和不协调，从而降低整个晶圆的性能，影响良率。

现有的离子注入装置中，只有遮挡一部分的遮挡盘（比如遮挡整个晶圆的1/4部分，暴露其它3/4）或无遮挡盘，这使得在离子注入过程中无法监测离子束注入的角度，不能控制和调节离子束注入的角度。

实用新型内容

本实用新型的目的在于：提出一种遮挡盘及离子注入装置能够遮挡离子束和监测离子束注入的角度，从而控制和调节离子束注入的角度。

为了实现上述目的，本实用新型提出的一种遮挡盘，包括：多个径向垂直于所述遮挡盘盘面的开孔。

进一步地，所述开孔的数目大于等于3个。

进一步地，所述开孔的形状相同或不同。

进一步地，所述开孔的形状为圆形、三角形、扇形或多边形。

进一步地，所述开孔相同形状的尺寸相同或者不同。

进一步地，所述多边形的边数大于等于4。

进一步地，所述开孔的侧壁面与所述遮挡盘上表面或下表面呈30度~45度的夹角。

进一步地，所述遮挡盘的材质为碳纤维。

进一步地，所述遮挡盘为圆形，其直径范围为310mm~350mm。

进一步地，所述遮挡盘的厚度为1.5mm~3mm。

本实用新型还提供一种离子注入装置，包括上述的遮挡盘。

进一步地，所述离子注入装置还包括：

反应腔室；

用于提供离子束的离子源，固定在所述反应腔室的内侧壁；

基座，底部固定在所述反应腔室的另一内侧壁上；

电子卡盘，其底端与所述基座顶部固定，其顶端与所述离子源相对；

其中，所述遮挡盘与所述电子卡盘边缘相固定并保持一定的距离。

进一步地，所述基座底部通过一体成型方式与所述反应腔室的内侧壁相固定。

进一步地，所述电子卡盘底端通过卡槽或螺丝与所述基座顶部相固定。

进一步地，所述离子注入装置还包括一固定部件，所述固定部件一端固定在所述电子卡盘的边缘，另一端固定连接所述遮挡盘的边缘。

进一步地，所述固定部件通过焊接或螺丝等方式与所述电子卡盘的边缘相固定。

进一步地，所述遮挡盘通过卡槽的方式与所述固定部件的另一端相固定。

进一步地，所述遮挡盘的开孔正对电子卡盘一侧的孔径尺寸小于正对离子束一侧的孔径尺寸。

与现有技术相比，本实用新型提出的遮挡盘及离子注入装置，其有益效果主要体现在：带有多个开孔的遮挡盘能够对离子束等进行遮挡，从而形成与开孔形状一致的离子束；使具有形状的离子束注入晶圆内，比较晶圆上离子注入的形状和遮挡盘上开孔的形状，从而得出离子束注入时的角度，进而控制和调节离子束注入的角度。

附图说明

图1为本实用新型实施例一中遮挡盘的俯视图；

图2为本实用新型实施例一中遮挡盘侧面的剖面示意图；

图3为本实用新型实施例一中离子注入装置的结构示意图；

图4为本实用新型实施例二中遮挡盘的俯视图；

图5为本实用新型实施例二中遮挡盘侧面的剖面示意图。

具体实施方式

为了便于理解，下面结合具体实施例一、二和附图对本实用新型作进一步的描述。

实施例一

请参考图1，本实施例提供一种遮挡盘500，包括三种不同形状的开孔510，三个开孔510的形状分别为三角形、矩形和圆形；遮挡盘500为圆形，厚度为1.5mm~3mm，例如是1.8mm、2.0mm、2.5mm；直径为310mm~350mm，例如是320mm、330mm、340mm。