[实用新型]一种倒装焊封装的多声表裸芯片模块

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体器件领域，特别涉及一种半导体器件的封装结构。

背景技术

随着半导体技术的飞速发展，为了满足对半导体器件体积越来越小，重量越来越轻，速度越来越快，功能越来越多的要求，提高半导体器件的封装效果是当前半导体技术发展的重要需求。传统的封装方法，工艺过程复杂，封装密度受到限制。特别是声表芯片器件封装工艺过程中，目前所有涉及声表芯片的模块中，声表芯片必须单独封装，对于声表芯片器件模块来说，都存在二次封装的情况。如图1所示，图1为现有技术声表芯片的模块二次封装示意图；之所以需要二次封装，是因为声表面波芯片的工作面为表面，目前用在模块封装均采用树脂灌封的方式，如果采用裸芯片倒装在模块组件基板上，在灌封树脂时，声表面波器件的表面会受到灌封树脂的污染，从而破坏整个模块的性能，如图2所示，图2为声表面波器件灌封树脂示意图。

因此急需一种将裸声表面波芯片直接封装的封装结构。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型所要解决的技术问题是提供一种将声表面波裸芯片直接封装的封装结构。

本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的：

本实用新型提供的一种倒装焊封装的多声表裸芯片模块，包括基板和至少一个声表裸芯片；所述声表裸芯片倒装焊接于基板上，所述声表裸芯片包覆于树脂膜中，所述树脂膜通过热压贴合在基板上。

进一步，所述树脂膜中还设置有半导体芯片，所述半导体芯片倒装焊接在基板上。

进一步，所述树脂膜的厚度大于倒装焊接后的芯片高度。

进一步，所述树脂膜为热固化树脂膜。

进一步，所述热固化树脂膜将基片上所有的倒装焊接的芯片都密封包裹在内。

本实用新型的优点在于：本实用新型采用了将裸声表面波芯片直接倒装的工艺来形成一种倒装焊封装的多声表裸芯片模块，使原来需要进行的二次封装过程减小到目前的一次封装。没有增加新的工艺，所以降低了工艺的难度，从根本上解决了包含声表面波器件的多芯片模块的封装难题。使声表面波器件与其他半导体芯片一样，可以采用标准的半导体工艺。由于不需要对声表芯片进行单独封装，所以整个器件的厚度将降低0.1mm以上，减小了器件体积。

附图说明

为了使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型作进一步的详细描述，其中：

图1为现有技术声表芯片的模块二次封装示意图；

图2为声表面波器件灌封树脂示意图；

图3为本实用新型实施例提供的声表面波裸芯片直接倒装示意图；

图4为本实用新型实施例提供的热固化树脂膜封装声表面波裸芯片示意图。

图中，树脂膜-1、声表裸芯片-2、半导体芯片-3。

具体实施方式

以下将结合附图，对本实用新型的优选实施例进行详细的描述；应当理解，优选实施例仅为了说明本实用新型，而不是为了限制本实用新型的保护范围。

图3为本实用新型实施例提供的声表面波裸芯片直接倒装示意图，图4为本实用新型实施例提供的热固化树脂膜封装声表面波裸芯片示意图，如图所示：本实用新型提供的一种倒装焊封装的多声表裸芯片模块，包括基板和至少一个声表裸芯片2；所述声表裸芯片2倒装焊接于基板上，所述声表裸芯片包覆于树脂膜1中，所述树脂膜1通过热压贴合在基板上。

所述树脂膜中还设置有半导体芯片3，所述半导体芯片3倒装焊接在基板上。所述树脂膜1的厚度大于倒装焊接后的芯片高度。所述树脂膜为热固化树脂膜。所述热固化树脂膜将基片上所有的倒装焊接的芯片都密封包裹在内。

倒装焊封装的多声表裸芯片模块通过一些工艺流程来进行制作，首先将声表面波裸芯片倒装焊接在基板上，将半导体芯片倒装焊接在基板上；然后设置外引出端；最后通过压力并加热将树脂膜贴合在基板上。

通过树脂膜进行封装，改变了原来使用灌封树脂进行封装的工艺方案，使用树脂膜代替灌封树脂，使得形成的倒装焊封装的多声表裸芯片模块在结构上与采用传统的封装方式形成的多声表裸芯片模块在结构发生了改变。热压树脂膜代替了原有的树脂灌封工艺，使得声表面波裸芯片可以直接倒装在模块组件中。本实用新型中声表面波裸芯片直接倒装在模块组件基板上，与其他的半导体芯片一样，采用相同的倒装焊接技术即可。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并不用于限制本实用新型，显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。