[实用新型]一种40GHz高频同轴固定衰减器有效
申请号: | 201220360942.7 | 申请日: | 2012-07-24 |
公开(公告)号: | CN202839924U | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 戴林华;周俊孟;谢丽珍 | 申请(专利权)人: | 上海华湘计算机通讯工程有限公司 |
主分类号: | H01P1/22 | 分类号: | H01P1/22 |
代理公司: | 上海天翔知识产权代理有限公司 31224 | 代理人: | 陈学雯 |
地址: | 200233 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 40 ghz 高频 同轴 固定 衰减器 | ||
技术领域
本实用新型涉及到微波无源器件领域,特别涉及一种在通信行业及电子设备和雷达中使用的一种40GHz微波同轴固定衰减器。
背景技术
同轴固定衰减器是微波元件的一种,广泛应用在微波通讯、雷达等设备中,同轴固定衰减器必须要满足系统的电气和机械性能要求,同时要在批量生产中做到工艺简单、合格率高、生产成本低。同轴固定衰减器是由连接器和衰减片组成,连接器包括阴接头和阳接头两部分。
现有衰减片为氧化铍介质基片的衰减片,现有阴接头为SMA阴接头,现有阳接头为SMA阳接头。
通常情况下,要做到DC-40GHz高频的同轴固定衰减器非常困难,要做成DC-40GHz高频同时能够承受2W功率的同轴固定衰减器就更加困难。
综上所述,针对现有技术的缺陷,特别需要一种40GHz高频同轴固定衰减器,以解决现有技术的不足。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种能提高衰减器的频率,且具有体积小散热快,机械稳定性好,重复性好的一种40GHz微波同轴固定衰减器。
为达到上述目的,本实用新型的技术方案如下:
一种40GHz高频同轴固定衰减器,包括腔体以及设置在腔体两端的2.92阳接头和2.92阴接,所述腔体由外壳、芯腔、接地夹组成;所述2.92阳接头包括螺套、卡环、阳外壳、第一套筒、插针组件、第一弹簧以及第一接触帽;所述2.92阴接头包括阴外壳、第二套筒、插孔组件、第二弹簧以及第二接触帽;所述插针组件包括阳内导体、第一环和聚苯醚浇注料;所述插孔组件包括阴内导体、第二环和聚苯醚浇注料;所述芯腔内设置一个氧化铝介质基片的衰减片,所述衰减片的两边接地微带线用接地夹卡住固定在与其同宽度的芯腔的槽内,并通过外壳使其安装在2.92阳接头和2.92阴接头之间。
在本实用新型的一个实施例中,所述阳内导体其孔内的弹性接触帽顶住衰减片的微带传输线输入端,衰减片的微带传输线输出端被阴内导体其孔内的弹性接触帽顶住。
在本实用新型的一个实施例中,所述衰减片的微带传输线、阳内导体、阴内导体中心轴三轴同心。
在本实用新型的一个实施例中,所述衰减片的特性阻抗为50Ω,频率为40GHz,功率容量为2W。
通过上述技术方案,本实用新型的有益效果是:
本实用新型通过采用新型的氧化铝介质基片的衰减片和2.92阳接头和2.92阴接头,其在使用时能达到驻波小,频带宽的要求;本产品工作频带从直流到40GHz,功率容量2W,具有良好快速的散热能力,机械稳定性好,重复性好。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型一种40GHz高频同轴固定衰减器的外部结构示意图;
图2、图3、图4是本实用新型一种40GHz高频同轴固定衰减器的内部结构示意图。
图中标号说明:
1、2.92阳接头 2、腔体 3、2.92阴接头 4、螺套 5、插针组件 6、卡环 7、阳外壳 8、第一套筒 9、第一弹簧 10、第一接触帽 11、外壳 12、芯腔 13、接地夹 14、衰减片 15、支头螺钉 16、插孔组件 17、阴外壳18、阳内导体 19、聚苯醚浇注料 20、第一环 21、阴内导体 22、第二套筒 23、第二弹簧 24、第二环 25、第二接触帽
具体实施方式
为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体图示,进一步阐述本实用新型。
参见图1至图4所示,本实用新型一种40GHz高频同轴固定衰减器包括腔体2以及设置在腔体2两端的2.92阳接头1和2.92阴接3,腔体2由外壳11、芯腔12、接地夹13组成;2.92阳接头1包括螺套4、卡环6、阳外壳17、第一套筒8、插针组件5、第一弹簧9以及第一接触帽10;2.92阴接头3包括阴外壳17、第二套筒22、插孔组件16、第二弹簧23以及第二接触帽25;插针组件5包括阳内导体18、第一环20和聚苯醚浇注料19;插孔组件16包括阴内导体21、第二环24和聚苯醚浇注料19;芯腔12内设置一个氧化铝介质基片的衰减片14。
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