[实用新型]高压直流发光元件有效
申请号: | 201220272212.1 | 申请日: | 2012-06-11 |
公开(公告)号: | CN202746999U | 公开(公告)日: | 2013-02-20 |
发明(设计)人: | 謝佳翰;黃志騰;許伯聰 | 申请(专利权)人: | 琉明斯光電科技股份有限公司 |
主分类号: | F21S2/00 | 分类号: | F21S2/00;F21V23/00;H01L25/075;H01L33/62;H01L33/48;F21Y101/02 |
代理公司: | 天津三元专利商标代理有限责任公司 12203 | 代理人: | 郑永康 |
地址: | 中国台湾桃园*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高压 直流 发光 元件 | ||
技术领域
本实用新型是有关一种高压直流发光元件(HV DC LED),尤指一种勿须使用变压器,适用于以市电高电压驱动的小型灯具,但不限定于此。
背景技术
现有的发光二极管(LED),仅须2~4伏特(V)的电压,因此如以市电(AC110~220V)供给电源时,必须经过整流器及变压器的后方可提供现有的LED使用。
次者,以LED作为灯泡的光源,其构造如图1A所示,将数个单颗的LED 11设于一电路板12上,并于该电路板12连接有整流器14及变压器13,用以将交流电力以直流电力的型态输出,使数个单颗的LED 11被点亮,形成一LED灯泡10A的照明灯具。
但查,上述LED灯泡10A内部必须容置整流器14及变压器13,才能将市电的交流(AC)电流转换为直流(DC)流电,其中变压器13的体积大且重量亦重,如将其置于LED灯泡10A内部,则其灯泡10A的体积受到限制,无法适用于图1B所示的小型LED灯泡10B,为其未臻完善之处。
再者,现有数个发光二极管数组芯片,其设置于灯泡内时常发生芯片间距太接近,而产生相互吸收光能,而降低光效率的问题点。
是以,解决上述缺失为本实用新型的主要课题。
实用新型内容
本实用新型所要解决的主要技术问题在于,克服现有技术存在的上述缺陷,而提供一种高压直流发光元件,其具有省去繁复的电源设计,特别适用于狭小空间的灯具,且不需要变压器,可大幅降低产品结构重量与简化制程的功效,各芯片具有最佳化间距及散射设计,据以增进光萃取效率的功效,简化发光二极管,使其具有在色温偏移与热稳定性佳的特征,可作为稳定的照明光源,其可依照各地区域电压不同需求,以芯片数搭配方式组合出最佳电压,可减少电源消耗与浪费,并提高电路稳定性,增加使用寿命的功效。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:
一种高压直流发光元件,包括:
一承载座,该承载座包括数个导电部与一导热部,该导电部分别设于该导热部两侧,并区分为正负极;至少一颗发光二极管数组芯片,设置在该承载座的导热部上,该发光二极管数组芯片包含一基板及数个发光二极管单元共同形成于该基板上,并与该导电部形成电性连接;以及一封胶体,设于该承载座上;其特征在于:
该发光二极管数组芯片以数颗串接形成串联的芯片组,且各芯片间距保持在100um以上,并于各芯片间距中,填设二氧化钛粉末作为散射层;以及该发光二极管数组芯片,其各芯片上的发光二极管单元串联后的总电压系在DC100伏特(V)~220伏特(V),据以构成一高压直流发光元件。
依据本实用新型前述特征,该二氧化钛粉末的高度(h)为发光二极管数组芯片的高度(H)的1/2~2/3为较佳。
承上,该发光二极管数组芯片的高度为100~120um,而该填设各芯片间距的二氧化钛粉末的高度为50~80um。
再者,该发光二极管数组芯片的电性连接方式包括为导线连接、覆晶型式或是共晶型式。
借助上述技术手段,本实用新型的高压直流发光元件(HV DC LED),特别适用于狭小型LED灯具,且具有提升可靠度及使用寿命的功效。
本实用新型的有益效果是,其具有省去繁复的电源设计,特别适用于狭小空间的灯具,且不需要变压器,可大幅降低产品结构重量与简化制程的功效,各芯片具有最佳化间距及散射设计,据以增进光萃取效率的功效,简化发光二极管,使其具有在色温偏移与热稳定性佳的特征,可作为稳定的照明光源,其可依照各地区域电压不同需求,以芯片数搭配方式组合出最佳电压,可减少电源消耗与浪费,并提高电路稳定性,增加使用寿命的功效。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1A是现有LED灯泡的示意图。
图1B是现有小型灯炮的示意图。
图2是本实用新型的结构分解示意图。
图3是本实用新型的示意图。
图4是图3所示进一步填入二氧化钛粉末的示意图。
图5是图4所示进一步设置封胶体的示意图。
图6是本实用新型的俯视图。
图7是本实用新型的剖视图。
图8是本实用新型的芯片间距放大俯视图。
图9是本实用新型的芯片间距放大侧视图。
图10A及图10B是本实用新型的芯片可行实施例剖视图。
图11A及图11B是本实用新型的可行电路方块图。
图12是本实用新型的使用状态参考图。
图中标号说明:
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