[实用新型]高压直流发光元件有效
| 申请号： | 201220272212.1 | 申请日： | 2012-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN202746999U | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 謝佳翰;黃志騰;許伯聰 | 申请（专利权）人： | 琉明斯光電科技股份有限公司 |
| 主分类号： | F21S2/00 | 分类号： | F21S2/00;F21V23/00;H01L25/075;H01L33/62;H01L33/48;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 天津三元专利商标代理有限责任公司 12203 | 代理人： | 郑永康 |
| 地址： | 中国台湾桃园*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压 直流 发光 元件 | ||
【权利要求书】：
1.一种高压直流发光元件，包括：
一承载座，该承载座包括数个导电部与一导热部，该导电部分别设于该导热部两侧，并区分为正负极；
至少一颗发光二极管数组芯片，设置在该承载座的导热部上，该发光二极管数组芯片包括一基板及数个发光二极管单元共同形成于该基板上，并与该导电部形成电性连接；以及
一封胶体，设于该承载座上；
其特征在于；
该发光二极管数组芯片以数颗串接形成串联的芯片组，且各芯片间距保持在100um以上，并于各芯片间距中，填设二氧化钛粉末作为散射层；以及
该发光二极管数组芯片，其各芯片上的发光二极管单元串联后的总电压在DC100伏特(V)～220伏特(V)，以构成一高压直流发光元件。
2.根据权利要求1所述的高压直流发光元件，其特征在于，所述二氧化钛粉末的高度(h)为发光二极管数组芯片的高度(H)的1/2～2/3。
3.根据权利要求2所述的高压直流发光元件，其特征在于，所述发光二极管数组芯片的高度为100～120um，而该填设各芯片间距的二氧化钛粉末的高度为50～80um。
4.根据权利要求1所述的高压直流发光元件，其特征在于，所述发光二极管数组芯片的电性连接方式包括导线连接、覆晶型式或是共晶型式。
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