[实用新型]一种BCD工艺下的ESD器件结构

权利要求书

1.一种BCD工艺下的ESD器件结构，其特征在于，它包括ESD NMOS单元，所述ESD NMOS单元上设置有P型有源注入区和N型有源注入区，所述P型有源注入区上连接有VSS端，所述N型有源注入区上连接有源极端或者漏极端，所述漏极端的N型有源注入区之间通过N阱扩散区连接，N阱扩散区的一端为输入压焊点的接入端口，N阱扩散区的另一端为ESDNMOS单元的漏极端，所述源极端与所述漏极端之间设置有栅极端。

2.如权利要求1所述的BCD工艺下的ESD器件结构，其特征在于，所述N阱扩散区的长度为7.0-8.0um，所述N阱扩散区覆盖NMOS的漏极端的有源区的长度为0.4-0.8um，所述N阱扩散区位于场氧化物下长度为0.6-1.0um。

3.如权利要求2所述的BCD工艺下的ESD器件结构，其特征在于，优选地，所述N阱扩散区的长度为7.5um，所述N阱扩散区覆盖NMOS的漏极端的有源区的长度为0.55um，所述N阱扩散区位于场氧化物下长度为0.8um。

4.如权利要求1所述的BCD工艺下的ESD器件结构，其特征在于，所述ESD NMOS单元呈圆形。

5.如权利要求1所述的BCD工艺下的ESD器件结构，其特征在于，所述ESD NMOS单元内部设置有接触孔，所述接触孔为圆形结构。