[实用新型]一种具有背镀结构的发光二极管

权利要求书

1. 一种具有背镀结构的发光二极管，包括p电极（1）、n电极（6）和具有非出光面与出光面的衬底（8），在衬底（8）的出光面上顺序设有n型GaN层（7）、量子阱（2）、p型GaN层（5）和铟锡氧化物层（4）和钝化层（3），p电极（1）位于铟锡氧化物层（4）的上表面，n电极（6）位于n型GaN层（7）的上表面，其特征在于，所述的衬底（8）的非出光面上设置有布拉格反射层（9），该布拉格反射层（9）由三氧化二铝层（91）和二氧化钛层（92）交替排列组成，且相邻的三氧化二铝（91）层和二氧化钛层（92）之间相互贴覆；三氧化二铝层（91）的折射率小于二氧化钛层（92）的折射率。

2. 按照权利要求1所述的具有背镀结构的发光二极管，其特征在于，还包括金属反射层（10），该金属反射层（10）位于布拉格反射层（9）的外表面。

3. 按照权利要求2所述的具有背镀结构的发光二极管，其特征在于，所述的金属反射层（10）的厚度在50 nm —300 nm之间。

4. 按照权利要求3所述的具有背镀结构的发光二极管，其特征在于，所述的金属反射层（10）由铝制成。

5. 按照权利要求1至4中任何一项所述的具有背镀结构的发光二极管，其特征在于，所述的三氧化二铝层（91）的光学厚度和二氧化钛层（92）的光学厚度分别为反射光波长的1/4。

6. 按照权利要求5所述的具有背镀结构的发光二极管，其特征在于，所述的布拉格反射层（9）中的三氧化二铝层（91）和二氧化钛层（92）的层数相同，三氧化二铝层（91）和二氧化钛层（92）各为1层—20层。

7. 按照权利要求1所述的具有背镀结构的发光二极管，其特征在于，所述的衬底（8）采用蓝宝石、砷化镓、碳化硅或者硅材料制成。