[实用新型]一种高频电子镇流器控制电路有效

专利信息
申请号: 201220195565.6 申请日: 2012-05-02
公开(公告)号: CN202617483U 公开(公告)日: 2012-12-19
发明(设计)人: 谢立山 申请(专利权)人: 深圳市格林莱电子技术有限公司
主分类号: H05B41/282 分类号: H05B41/282
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 高频 电子镇流器 控制电路
【权利要求书】:

1.一种高频电子镇流器控制电路,包括可变频率振荡器,与所述的可变频率振荡器相连的变压器耦合电路,与所述的变压器耦合电路相连的谐振匹配电路,所述的谐振匹配电路与高压气体放电灯相连,其特征在于,所述的可变频率振荡器外接调控频率电路,所述的调控频率电路由电阻及与所述的电阻串接的可调电位器组成,所述的调控频率电路一端输入所述的可变频率振荡器,另一端接地。

2.根据权利要求1所述的高频电子镇流器控制电路,其特征在于,所述的高频电子镇流器控制电路还包括滤波电路,连接于所述的谐振匹配电路及所述的高压气体放电灯之间,用于对所述的谐振匹配电路进行滤波。

3.根据权利要求1所述的高频电子镇流器控制电路,其特征在于,所述的变压器耦合电路具有初级线圈以及与之耦合的两个次级线圈,所述的可变频率振荡器产生的振荡电压通过变压器的初级线圈耦合到两个次级线圈。

4.根据权利要求3所述的高频电子镇流器控制电路,其特征在于,所述的谐振匹配电路由两组功率场效应管MOSFET源极串接而成,第一组功率场效应管MOSFET的漏极均与所述的初级线圈相连,栅极均与所述的可变频率振荡器相连,第二组功率场效应管MOSFET的栅极均与次级线圈相连,漏极均接地。

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