[实用新型]一种用于硅抛光片在异丙醇中干燥的PFA片架

说明书

技术领域

本实用新型涉及抛光硅片清洗技术领域，特别是涉及一种用于硅抛光片在异丙醇中干燥的PFA片架。

背景技术

抛光硅片是集成电路产业最重要的基础材料，电路被加工在抛光硅片的表面。伴随着集成电路的特征线宽越来越小，硅片表面颗粒的直径和数量越来越成为硅片质量的重要参数。抛光硅片在抛光后一般通过RCA、IMEC等湿法清洗来时表面颗粒和表面金属指标达到客户的要求。

硅抛光片的最终清洗结束时只有通过甩干或者异丙醇干燥才能获得洁净干燥的表面。甩干是使硅抛光片在离心力的作用下去除表面吸附水而干燥的方式。异丙醇干燥技术是一种通过异丙醇蒸汽或者异丙醇和氮气的混和蒸汽将硅片表面的水膜强制置换的干燥方法。

硅抛光片在抛光后的清洗过程中，一般一个片架可以装25或者26片，常用的硅抛光片的尺寸为4、5、6、8、12英寸，为避免硅抛光片表面之间相互擦伤，如图1和图2所示，片架内的硅抛光片之间被片架内的卡槽所隔离。在异丙醇干燥过程中，硅抛光片正面和背面都会与片架的卡槽所接触，而接触处的隙缝会有水残留。在干燥硅抛光片过程中，残留的水会在硅片表面的边沿留下水迹，水迹的位置会有高密度的表面颗粒存在，使硅抛光片达不到表面颗粒的指标要求。水迹的存在会降低硅抛光片的异丙醇干燥的成品率，该步的成品率一般只能达到85-90％。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种用于硅抛光片在异丙醇中干燥的PFA片架，提供提高产品的成品率。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种用于硅抛光片在异丙醇中干燥的PFA片架，包括框架，所述框架两侧设有侧挡条，所述侧挡条通过4-6根支柱支撑；所述侧挡条上设有多个卡槽条。

所述卡槽条之间的间距略大于硅抛光片的厚度。

有益效果

由于采用了上述的技术方案，本实用新型与现有技术相比，具有以下的优点和积极效果：本实用新型通过改变片架原先的设计形貌，主要是改变了卡槽的形状设计和扩大卡槽间的间距来减少硅抛光片在异丙醇干燥过程中残留水迹的保留机会，尽可能的通过异丙醇将硅片表面的水膜置换完全，尤其是降低水膜与片架接触部位的残留机会，从而降低水迹出现的概率。因此本实用新型能够显著降低硅抛光片经过异丙醇干燥后在硅片表面边沿留下水迹的机会，显著提高硅抛光片异丙醇干燥步骤地一次良品率。

附图说明

图1是现有技术的硅抛光片和片架接触的正视图；

图2是现有技术的硅抛光片和片架接触的侧视图；

图3是PFA片架用于硅抛光片在异丙醇中干燥的示意图；

图4是硅抛光片和片架接触的正视图；

图5是硅抛光片和片架接触的侧视图；

图6是本实用新型的立体图。

具体实施方式

下面结合具体实施例，进一步阐述本实用新型。应理解，这些实施例仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围。此外应理解，在阅读了本实用新型讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本实用新型作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。

本实用新型的实施方式涉及一种用于硅抛光片在异丙醇中干燥的PFA片架，如图3-6所示，包括框架9，所述框架9两侧设有侧挡条6，所述侧挡条6通过4-6根支柱7支撑；所述侧挡条6上设有多个开口朝向框架9内侧的卡槽条5。其中，所述卡槽条5之间的间距略大于硅抛光片的厚度，，并且所有与硅片接触的位置有足够的光洁度，如此卡槽条5之间预留足够大的空间，保证硅抛光片在内有相当的空间抖动。

与现有技术相比可见，本实用新型中大部分侧面卡槽条被设计保留成两段极短的部分，仅保留少数几根支柱支撑框架，使用本实用新型的卡槽形状和卡槽尺寸的片架和硅抛光片仅仅只有很少的几个位置接触，并以点接触为主。

本实用新型的工作方式如下：