[实用新型]开关设备有效

专利信息
申请号: 201220143522.3 申请日: 2012-03-23
公开(公告)号: CN202652170U 公开(公告)日: 2013-01-02
发明(设计)人: J·L·斯图兹;詹姆斯·约瑟夫·莫拉;S·马卡卢索 申请(专利权)人: 快捷半导体(苏州)有限公司;快捷半导体公司
主分类号: H03K17/56 分类号: H03K17/56
代理公司: 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 代理人: 武晨燕;张颖玲
地址: 215021 *** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 开关设备
【说明书】:

技术领域

本主题涉及开关,并且更为具体地说,涉及开关设备。 

背景技术

很多模拟开关需要向模拟开关提供电源,以允许和实现正的栅极到源极电压(VGS),从而传送围绕地电势摆动的信号。在断电状态期间,很多n型金属氧化物半导体(NMOS)模拟开关不具有正的VGS,并且不能传递高于地电势的信号。类似地,在省电状态下,很多p型金属氧化物半导体(PMOS)模拟开关不具有负VGS,并且不能传送低于地电势的信号。此外,传统的互补金属氧化物半导体(CMOS)模拟开关可以允许传递信号,但是具有显著的信号失真和较差的质量。 

实用新型内容

除其他内容之外,本文讨论了用于在断电状态下传递信号的装置。示例性的开关设备可以包括:第一耗尽型晶体管,所述第一耗尽型晶体管被配置为在第一状态下在第一节点和第二节点之间传递模拟信号,并且在第二状态下将第一节点与第二节点隔离;控制电路,所述控制电路被连接到所述第一耗尽型晶体管的控制节点并且被配置为在所述第一状态下将所述控制节点与第一电源输入端隔离并且在所述第二状态下将所述控制节点连接到所述第一电源输入端;以及跟踪电路,所述跟踪电路被配置为在所述第一状态期间将所述第一耗尽型晶体管的所述控制节点连接到所述第一节点并且在所述第二状态下将所述第一耗尽型晶体管的所述控制节点与所述第一节点隔离。 

该节旨在提供对本专利申请的主题的概述。其并非旨在提供本实用新型的排他性的或穷尽性的解释。包括详细描述以提供关于本专利申请的进一步信息。 

附图说明

在附图中(这些附图不一定是按照比例绘制的),相似的数字可以描述不同的视图中的类似部件。具有不同字母后缀的相似数字可以表示类似部件的不同实例。附图通过举例说明而非限制的方式大体示出了本文中讨论的各个实施例。 

图1大体示出了示例性的开关设备。 

图2大体示出了用于在两个节点之间传送诸如音频信号之类的模拟信号的示例性开关设备。 

图3A和图3B大体示出了用于在包括开关设备的装置的断电状态期间传递模拟信号的示例性开关设备。 

具体实施方式

除其他内容外,本发明人已经认识到一些系统和方法,这些系统和方法被配置成允许在没有施加功率的情况下以较高的质量和较小的失真传递信号,并且在施加功率时不允许传递信号(例如,禁用开关)。在一个示例中,开关可以包括被配置成在没有施加功率的情况下传递音频信号的耗尽型模拟开关。在一个示例中,可以使用恒定的0V栅源电压(VGS)信号来启用开关,这提供了最佳的总谐波失真(THD)性能。在加电时,可以禁用开关。在一个示例中,这种实现方式不会消耗任何大量功率来传递信号。 

图1大体示出了示例性的开关设备100,其包括耗尽型晶体管101、控制电路102和跟踪电路103。在某些示例中,控制电路102可以包括被配置成接收控制电压(VCTL)的输入端104。在一个示例中,当控制电压(VCTL)处于或接近地电势(GND)时,控制电路102可以对耗尽型晶体管101的控制节点进行偏置,以使得耗尽型晶体管101被禁用,或者处于第一状态下,并且能够在开关设备100的第一节点(A)和第二节点(B)之间传递信号(例如,模拟音频信号)。 

在某些示例中,跟踪电路103可以将耗尽型晶体管101的控制节点连接到第一节点或第二节点(A、B)中的一个,以维持耗尽型晶体管101的大体上为 0V的VGS。因此,在第一状态下,耗尽型晶体管101可以在具有较小失真或没有失真的情况下在第一节点和第二节点(A、B)之间传递信号。在某些示例中,开关设备100可以接收常规电源电压(VCC),并且控制电压(VCTL)可以是电荷泵的输出电压,以使得当开关设备100处于第一状态时,控制电压(VCTL)大体上等于0V(例如,地电势),并且当开关设备100处于第二状态时,电荷泵可以被启用并且可以提供具有大体上负电压的控制电压(VCTL)(例如,在某些示例中,约为-2V)。 

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于快捷半导体(苏州)有限公司;快捷半导体公司,未经快捷半导体(苏州)有限公司;快捷半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201220143522.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top